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      標簽　>　igbt

      igbt

      igbt

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      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

      文章：3048個 瀏覽：253818次 帖子：482個

      igbt技術

      基于兩級di/dt檢測IGBT模塊短路策略

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      本文根據IGBT的短路特性和大功率IGBT模塊的結構特點設計了一種新型大功率IGBT模塊的短路檢測電路，采用兩級di/dt檢測IGBT兩類短路狀態的實用方法。

      2016-08-17 標簽：igbt 5986 0

      三極管、場效應管、IGBT的區別

      三極管是一種電流控制體器件，它的主要作用是把微弱信號放大，輸入阻抗低，例如在基極b給一個很小的電流Ib，在集電極c上得到一個比較大的電流Ic。它是電流放...

      2023-04-13 標簽：三極管場效應管IGBT 5959 0

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      由于不間斷電源的興起，IGBT技術得以飛速發展。IGBT的特點是具有電流拖尾效應，因此在關斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴格，需要負壓驅動進行輔助。

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      tvyt jf_97492079 efans_62931057 jf_36666513 jf_18435973 jf_10998439 故園東方水 jf_11830122 jf_24263545 阿bu jf_64181280 jf_85431462

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