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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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工控的IGBT市場規(guī)模在近年來逐步增大,尤其是隨著我國變頻器、電焊機(jī)市場穩(wěn)步增長,工業(yè)機(jī)器人市場加速發(fā)展,對(duì)應(yīng)的工控 IGBT 市場也將穩(wěn)步增長。
逆變器中的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)模塊在電力電子領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色。其作...
PIM模塊和IGBT在電力電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色,但它們?cè)诙x、結(jié)構(gòu)、功能和應(yīng)用等方面存在顯著差異。以下是對(duì)PIM模塊的定義、與IGBT的區(qū)別以及兩...
如何通過門極電阻來調(diào)整IGBT開關(guān)的動(dòng)態(tài)特性呢?
IGBT的開關(guān)特性是通過對(duì)門極電容進(jìn)行充放電來控制的,實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常使用+15V的正電壓對(duì)IGBT進(jìn)行開通,再由-5V…-8V…-15V的負(fù)電壓進(jìn)行關(guān)斷。
IGBT,中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件,既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度...
基于IGBT電路的逆變器設(shè)計(jì)與分析,IGBT數(shù)字化模塊設(shè)計(jì)與考量
選擇導(dǎo)通阻抗非常低的mosFET作為開關(guān)器件,構(gòu)成IGBT柵極功率輸出電路,如圖4,同時(shí),采用多個(gè)柵極電阻切換的方式,實(shí)現(xiàn)不同條件下對(duì)IGBT性能的調(diào)...
絕緣柵雙極晶體管知識(shí):IGBT對(duì)比功率MOSFET和BJT的優(yōu)勢(shì)
由于電導(dǎo)率調(diào)制,它具有非常低的導(dǎo)通狀態(tài)電壓降,并具有出色的導(dǎo)通狀態(tài)電流密度。因此,較小的芯片尺寸是可能的,并且可以降低成本。
2021-05-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器開關(guān)電源PWM 5495 0
根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象,可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法:將萬用表撥在R×1k檔上,任選兩個(gè)電極,分別測(cè)出其正、反向...
IGBT工作原理/主要參數(shù)/特性曲線/選型/應(yīng)用
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有(MOSFET)金氧...
超軟IGBT續(xù)流二極管具備行業(yè)領(lǐng)先的低損耗特性
英飛凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出專為現(xiàn)代IGBT應(yīng)用而設(shè)計(jì)的新型二極管系列:英飛凌Prime Soft。該二極管具備改進(jìn)的關(guān)斷能...
飛兆半導(dǎo)體的超結(jié)MOSFET和IGBT SPICE模型解讀
如果有足夠的時(shí)間,大多數(shù)工程師都有正確的意圖。作為工程師,您想多久了解一次電路應(yīng)用中每個(gè)部分的行為?是的-檢查。半導(dǎo)體公司的模型通常能真正代表電路應(yīng)用條...
IGBT開關(guān)損耗產(chǎn)生的原因與PiN二極管的正向恢復(fù)特性
大家好,這期我們?cè)倭囊幌翴GBT的開關(guān)損耗,我們都知道IGBT開關(guān)損耗產(chǎn)生的原因是開關(guān)暫態(tài)過程中的電壓、電流存在交疊部分,由于兩者都為正,這樣就會(huì)釋放功...
2022-04-19 標(biāo)簽:二極管IGBT開關(guān)損耗 5412 0
下圖是兩電平橋SPWM電路的結(jié)構(gòu)圖。該電路采用兩電平、三橋臂的主電路模式,采用IGBT作為開斷元件,采用二極管構(gòu)建旁通回路,通過調(diào)制SPWM的脈沖控制信...
IGBT的結(jié)構(gòu)簡述 IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用及基本特點(diǎn)
IGBT,中文名稱絕緣柵雙極型晶體管,是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和...
IGBT的開關(guān)速度指的是從導(dǎo)通到截止(或反之)所需的時(shí)間。快速的開關(guān)速度有助于減少功率損耗和提高效率,但過快的開關(guān)速度可能會(huì)增加電壓和電流的瞬態(tài)壓降,導(dǎo)...
有機(jī)硅,即有機(jī)硅化合物, 指含有 Si-O 鍵、且至少有一個(gè)有機(jī)基是直接與硅原子相連的化合物。有機(jī)硅產(chǎn) 品的關(guān)鍵性能包含優(yōu)異的耐溫性,即高溫、低溫環(huán)境下...
SiC作為寬禁帶半導(dǎo)體材料,與Si相比具有擊穿場強(qiáng)高、導(dǎo)熱系數(shù)高、載流能力大、開關(guān)速度快、可高溫工作等優(yōu)點(diǎn),適用于高壓、高溫、高頻等領(lǐng)域的應(yīng)用。
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