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標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
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IGBT與MOS管的區(qū)別,IGBT與可控硅的區(qū)別,IGBT驅(qū)動電路設(shè)計
多的這個P層因內(nèi)有載流子,有電導(dǎo)調(diào)制作用,可以使IGBT在跟高電壓和電流下,有很低的壓降,因此IGBT可以做到很高電壓(目前最大6500V),但由于載流...
IGBT絕緣柵雙極型晶體管模塊是場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和電力晶體管(GTR)相結(jié)合的產(chǎn)物。
2019-10-07 標簽:IGBTIGBT驅(qū)動 5.3萬 0
詳細IGBT的開通過程(IGBT結(jié)構(gòu)及工作原理)
IGBT作為具有開關(guān)速度快,導(dǎo)通損耗低的電壓控制型開關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于高壓大容量變頻器和直流輸電等領(lǐng)域。現(xiàn)在IGBT的使用比較關(guān)注的是較低的導(dǎo)通壓降以及...
2019-01-01 標簽:IGBT 5.3萬 0
在電力電子技術(shù)領(lǐng)域,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是一種被廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體開關(guān)器件。它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的輸入阻抗高和雙極...
IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)過熱和過流的區(qū)別
IGBT在結(jié)構(gòu)上類似于MOSFET,其不同點在于IGBT是在N溝道功率MOSFET的N+基板(漏極)上增加了一個 P+基板(IGBT 的集電極),形成P...
綜合不同型號和不同的使用環(huán)境中的數(shù)臺變頻器維修情況,總結(jié)出變頻器igbt模塊損壞的主要原因是使用環(huán)境的惡劣,使得門極驅(qū)動卡上電子元件損壞以及變頻器的散熱...
絕緣柵雙極晶體管 IGBT 安全工作,它集功率晶體管 GTR 和功率場效應(yīng)管MOSFET 的優(yōu)點于一身,自關(guān)斷、開關(guān)頻率高 (10-40 kHz) 的特...
2018-01-26 標簽:igbt電磁爐igbt驅(qū)動 4.6萬 0
變頻器工作原理圖講解:功能、分類、參數(shù)設(shè)定、過流故障及處理方法
變頻器原理圖講解:變頻器主電路是給異步電動機提供調(diào)壓調(diào)頻電源的電力變換部分,變頻器的主電路大體上可分為兩類 電壓型是將電壓源的直流變換為交流的變頻器,直...
IGBT是電壓控制型器件,它只有開關(guān)特性(通和斷兩種狀態(tài)),沒有放大特性。由IGBT等效電路可知,它是以晶體管為主導(dǎo)元件,以MOS管為驅(qū)動元件的達林頓結(jié)構(gòu)。
2020-11-21 標簽:IGBT驅(qū)動電路IGBT驅(qū)動 4.3萬 0
伺服驅(qū)動器是用來控制伺服電機的一種控制器,其作用類似于變頻器作用于普通交流馬達,屬于伺服系統(tǒng)的一部分,主要應(yīng)用于高精度的定位系統(tǒng)。一般是通過位置、速度和...
變頻器工作原理是將交流電經(jīng)整流橋整流成直流電后,再經(jīng)逆變電路逆變成三相交流電,一旦將電源線接到變頻器的輸出端(U、V、W)時,則任意一個送變晶體管因得到...
IGBT,IGCT和IEGT分別是什么?IGBT失效的罪魁禍首到底是什么?
不管采用何種瞬時頻率分析方法都將與宏觀上的電流函數(shù)特征相接近。那就是主要的瞬時頻率成分存在于門函數(shù)周期對應(yīng)的頻率點以上,且較為接近。同時由于上升下降沿的...
驅(qū)動信號仍然采用處理脈寬調(diào)制器輸出信號的形式。使得兩路驅(qū)動信號的相位錯開(有死區(qū)),以防止兩個開關(guān)管同時導(dǎo)通而產(chǎn)生過大電流損壞開關(guān)管。驅(qū)動信號的中點同樣...
SCR的開關(guān)時間較長,所以頻率不能太高,一般在3-5KHZ左右;IGBT的開關(guān)頻率較高。IGBT模塊可達30KHZ左右,IGBT單管開關(guān)頻率更高,達50...
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