完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。
文章:3048個 瀏覽:253833次 帖子:482個
快恢復二極管分類全解析:從基礎結(jié)構(gòu)到前沿應用
在變頻器IGBT驅(qū)動電路中,一個反向恢復時間過長的二極管導致開關(guān)損耗增加30%,這個案例揭示了快恢復二極管選型對電力電子系統(tǒng)的關(guān)鍵影響。作為高頻開關(guān)電路...
近年來,我國年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高,但能耗比卻居高不下,高能耗比已成為制約我國經(jīng)濟發(fā)展的瓶頸,為此國家投入大量資金支持節(jié)能降耗項目,變頻調(diào)速技術(shù)已越來越...
新能源汽車功率模塊結(jié)溫在線監(jiān)測技術(shù)研究
提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導通壓降及電流在線檢測電路,設計了兼具結(jié)溫監(jiān)測功能的驅(qū)動電路,并提出了- -種結(jié)溫反推方法,提升了結(jié)...
SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作-前言
從本文開始,我們將進入SiC功率元器件基礎知識應用篇的第一彈“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作”。前言:MOSFET和IGBT等電...
浮思特 | 第四代場阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能
由于其低導通損耗和開關(guān)能量損耗,IGBT廣泛應用于高功率應用領(lǐng)域,如電源、馬達驅(qū)動逆變器和電動汽車等。對更先進功率器件的需求促使了新型硅基開發(fā)及寬禁帶材...
在電子制造領(lǐng)域,傳統(tǒng)插件封裝器件(如TO-247/TO-220)正面臨轉(zhuǎn)型升級的關(guān)鍵節(jié)點。盡管這類封裝方案仍占據(jù)特定市場份額,但居高不下的生產(chǎn)成本以及勞...
在功率器件中,IGBT模塊備受各行業(yè)青睞,甚至還入選了我國重大科技專項重點扶持項目。它兼具MOSFET(絕緣柵型場效應管)及BJT(雙極型三極管)兩類器...
相較IGBT,SiC如何優(yōu)化混動和電動汽車的能效和性能?
隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加,汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,競爭日益激烈。由于 EV 的...
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的核心元件,廣泛應用于電機驅(qū)動、新能源發(fā)電、變頻器和電動汽車等領(lǐng)域。IGBT在工作過程中會產(chǎn)生大量的...
耐高溫絕緣陶瓷涂層IGBT/MOSFET應用 | 全球領(lǐng)先技術(shù)工藝材料
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管)都是重要的半導體功率器件,它們在電子電路中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。以下是IGBT和...
探索高效能電力解決方案——特瑞諾TGH80N65F2DS IGBT單管
在當今科技迅速發(fā)展的時代,電力電子技術(shù)正扮演著越來越重要的角色。如何提高電力設備的效率和可靠性,成為了眾多工程師和設計師們關(guān)注的焦點。而特瑞諾(trin...
首先需要了解的是:接下來要介紹的不是全SiC功率模塊特有的評估事項,而是單個SiC-MOSFET的構(gòu)成中也同樣需要探討的現(xiàn)象。在分立結(jié)構(gòu)的設計中,該信息...
半導體設計面臨高電壓挑戰(zhàn) 高壓功率器件設計挑戰(zhàn)如何破?
基于開關(guān)電力電子器件的轉(zhuǎn)換器和逆變器是可再生能源發(fā)電廠和電動汽車的關(guān)鍵組件。雖然MOSFET和IGBT都可以用在相關(guān)系統(tǒng)中,但前者的柵極驅(qū)動功率較低、開...
為什么EliteSiC M3S技術(shù)是高速開關(guān)應用的更優(yōu)選擇?
安森美汽車電源部應用工程師碳化硅(SiC)具有比硅(Si)更高的介電擊穿場強、能帶隙和熱導率,電力電子設計人員可以利用這些特性來開發(fā)比硅基IGBT器件效...
2023-12-08 標簽:電源轉(zhuǎn)換器IGBT高速開關(guān) 592 0
為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關(guān)斷特性及短路特性之間的矛盾,提高器件的綜合性能和可靠性,在IGBT中引入了一種電子注入增強效應(Injection Enha...
JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊,采用溝槽柵場終止技術(shù)IGBT7芯片,帶熱敏電阻(NTC)和可選 Press...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機 | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機 | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進電機 | SPWM | 充電樁 | IPM | 機器視覺 | 無人機 | 三菱電機 | ST |
伺服電機 | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |