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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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聊聊二合一加強(qiáng)版的IGBT以及前身半導(dǎo)體器件
從p型和n型半導(dǎo)體,到最基礎(chǔ)的pn結(jié),到pnp/npn的BJT,到pnpn的晶閘管,再到單極性器件MOSFET,再到最終的IGBT,一步步折中優(yōu)化,使I...
UCC21710-Q1 汽車級(jí) 5.7kVrms 10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21710-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,專為高達(dá) 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì),具有先進(jìn)的保護(hù)功能、一流...
固晶錫膏如何征服高功率封裝?一文破解高密度封裝的散熱密碼固晶
固晶錫膏是專為芯片固晶設(shè)計(jì)的錫基焊料,通過(guò)冶金結(jié)合實(shí)現(xiàn)高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱連接,對(duì)比傳統(tǒng)銀膠與普通錫膏,具備超高導(dǎo)熱(60-70W/m?K)、高強(qiáng)度(剪切強(qiáng)度...
UCC23511 5.7kVrms 1.5A/2A單通道光兼容隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC23511 是一款適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 1.5A 拉電流和 2A 灌電流...
盡管開(kāi)關(guān)器件內(nèi)部工作機(jī)理不同,但對(duì)于吸收電路的分析而言,則只需考慮器件的外特性,IGBT關(guān)斷時(shí)模型可以等效為電壓控制的電流源,開(kāi)通時(shí)可以等效為電壓控制的...
2025-05-21 標(biāo)簽:模塊IGBT開(kāi)關(guān)器件 443 0
測(cè)量回路雜散電感常用方法有雙脈沖法、短路法及諧振法。雙脈沖法通過(guò)測(cè)量獲取IGBT關(guān)斷時(shí)的尖峰電壓Vpeak和電流變化率,利用公式來(lái)計(jì)算雜散電感Lstra...
UCC21750 5.7kVrms ±10A,單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC21750 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,專為工作電壓高達(dá) 2121 V 直流的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì),具有先進(jìn)的保護(hù)功...
碳化硅晶圓是晶體通過(guò)切割,粗磨,精磨,粗拋,精拋等工藝加工成型的單晶晶圓。由于其硬度和脆性,需要投入更多的能量、更高的溫度和更多的精力來(lái)加工和結(jié)晶。因此...
研究IGBT器件的開(kāi)關(guān)及特性對(duì)實(shí)現(xiàn)IGBT變流器的高性能具有重要的意義,IGBT DC Link主回路的寄生電感會(huì)影響IGBT的開(kāi)關(guān)特性。本文研究IGB...
如何高效提升驅(qū)動(dòng)電路的電能轉(zhuǎn)換效率?
當(dāng)前,半橋驅(qū)動(dòng)器HPD2606X已可廣泛應(yīng)用在家用空調(diào)、冰箱、洗衣機(jī)、烘干機(jī)、吸塵器、抽油煙機(jī)、風(fēng)扇等白色家電領(lǐng)域與電動(dòng)工具、無(wú)人機(jī)等工業(yè)場(chǎng)合中。
2025-03-06 標(biāo)簽:MOSFETIGBT半橋驅(qū)動(dòng)器 388 0
關(guān)于碳化硅半導(dǎo)體的8大誤區(qū)有哪些
SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里,“魯棒性”是一個(gè)工程術(shù)語(yǔ),通常用來(lái)描述一個(gè)系統(tǒng)或部件在面對(duì)不確定性、干擾或異常條件時(shí)的穩(wěn)定性或可靠性。
淺談SiC道變器技術(shù)特性及系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)
相比IGBT芯片面積減少了50% ,取消了IGBT使用的反并聯(lián)二極管。 逆變器效率主要與功率器件的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗相關(guān),而SiC逆 變器在這兩點(diǎn)均...
回路中各環(huán)節(jié)電感值對(duì)于減小回路的總雜散電感而言十分重要。由于直流支撐電容器和IGBT的內(nèi)部電感是定值,其降低只能通過(guò)器件制造商提高制造和工藝水平來(lái)實(shí)現(xiàn)。...
FHF20T60A型號(hào)IGBT適用于破壁機(jī)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)
破壁機(jī)在人們?nèi)粘I钪幸呀?jīng)很常見(jiàn)了,終端客戶在使用的時(shí)候不僅僅關(guān)注外觀,更會(huì)關(guān)注影響產(chǎn)品質(zhì)量的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的知識(shí)了。
IGBT模塊(Insulated Gate Bipolar Transistor Module,絕緣柵雙極型晶體管模塊)是一種高性能的電力電子器件,廣泛...
UCC14141-Q1 汽車級(jí) 1.5W、12V VIN、25V VOUT 高密度 >5kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC14141-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的高隔離電壓 DC/DC 電源模塊,旨在為 IGBT 或 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器供電。UCC14141-Q1 將變...
功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析:以SiC與IGBT為例
隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展,碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝...
UCC27524 具有 5V UVLO、使能和 1ns 延遲匹配的 5A/5A 雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC27524 器件是一款雙通道、高速、低側(cè)、柵極驅(qū)動(dòng)器器件,能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開(kāi)關(guān)。該 UCC27524 增加了直接在輸...
2025-05-20 標(biāo)簽:MOSFET功率開(kāi)關(guān)IGBT 347 0
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