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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

在半導體行業(yè)中碳化硅有哪些應(yīng)用呢？

碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成，其實碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了

2023-02-07 標簽：半導體 SiC 碳化硅 2576 0

電源設(shè)計筆記:適用于高性能應(yīng)用的SiC JFET

本文檢查了 JFET SJEP120R100A 的功能和性能——這篇文章純粹是指導性的;此組件不再可用。但是這種簡單的方法也可以應(yīng)用于其他新組件。在接下...

2022-07-29 標簽：電源設(shè)計 JFET SiC 2569 0

采用4引腳封裝的原因

ROHM最近推出了SiC MOSFET的新系列產(chǎn)品“SCT3xxx xR系列”。

2023-02-16 標簽：MOSFET 封裝 SiC 2562 0

意法半導體SiC MOSFET的路線圖

顯然特斯拉用的是意法半導體2018年的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，第四代產(chǎn)品目前還沒有推出。溝槽型是發(fā)展方向，但意法半導體要到2025年才開始推出。

2023-03-14 標簽：MOSFET 特斯拉 SiC 2560 0

如何在使用SiC MOSFET時最大限度地降低EMI和開關(guān)損耗

碳化硅（SiC） MOSFET 的快速開關(guān)速度、高額定電壓和低導通 RDS（on）使其對電源設(shè)計人員極具吸引力，這些設(shè)計人員不斷尋找提高效率和功率密...

2022-11-23 標簽：MOSFET emi SiC 2548 0

什么是氮化鎵技術(shù)指標體系分解

小編在這里給大家分享一下什么是氮化鎵技術(shù)指標？什么是氮化鎵技術(shù)指標體系？以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體，具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、...

2023-02-16 標簽：SiC 氮化鎵 GaN 2544 0

SiC功率模塊的液冷散熱設(shè)計與節(jié)能分析

為綜合評估SiC功率模塊的液冷冷板散熱效果，設(shè)計了串聯(lián)、并聯(lián)與串并聯(lián)三種冷板流道結(jié)構(gòu)，從器件溫升、系統(tǒng)能效、散熱性能三個方面共計10項指標評估了冷板性...

2024-01-04 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 2525 0

碳化硅器件介紹與仿真

本推文主要介碳化硅器件，想要入門碳化硅器件的同學可以學習了解。

2023-11-27 標簽：二極管半導體仿真 2524 0

第三代雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET介紹

在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽...

2023-02-08 標簽：MOSFET SiC 2520 0

碳化硅在下一代工業(yè)電機驅(qū)動器中的作用

使用WBG材料如碳化硅(SiC)可制造出性能超越硅(Si)的同類產(chǎn)品。雖然有各種重要的機會使用這項技術(shù)，但工業(yè)電機驅(qū)動正獲得最大的興趣和關(guān)注。

2021-07-04 標簽：SiC 電機驅(qū)動器碳化硅 2519 0

如何實現(xiàn)一種7.5kW電動汽車碳化硅逆變器的設(shè)計呢？

第三代功率半導體碳化硅SiC具有高耐壓等級、開關(guān)速度快以及耐高溫的特點，能顯著提高電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)的效率、功率密度和可靠性。

2023-12-28 標簽：電動汽車逆變器散熱器 2497 0

碳化硅相對于硅的特性和優(yōu)勢有哪些

未來幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產(chǎn)品和半導體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品，設(shè)計師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。

2023-04-11 標簽：MOSFET 電感器 IGBT 2476 0

Boost變換器中SiC與IGBT模塊熱損耗對比研究

摘要：針對Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問題，給出了Boost電路中功率模塊熱損耗的估算方法，并提供了具體的估算公式。以30k...

2023-12-14 標簽：變換器 IGBT Boost 2464 0

溝槽結(jié)構(gòu)SiC MOSFET常見的類型

SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道，盡管其工藝復雜，單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。

2023-04-01 標簽：MOSFET JFET SiC 2463 0

基于SIC功率模塊的200kW車載逆變控制器介紹

在電動汽車驅(qū)動控制器中，逆變控制器是實現(xiàn)能量交直流轉(zhuǎn)化的關(guān)鍵部件，用于電機的驅(qū)動或制動時的能量回收或是提供交流電源。市場對于逆變控制器的能量傳輸效率、功...

2023-05-11 標簽：電動汽車控制器晶體管 2459 0

SiC二極管概述和技術(shù)參數(shù)

SiC二極管，全稱SiC碳化硅勢壘二極管，也被稱為SiC碳化硅肖特基二極管（SiC SBD），是碳化硅（SiC）功率器件的一種，屬于第三代半導體材料的應(yīng)...

2024-09-10 標簽：二極管 SiC 碳化硅 2455 0

面向汽車應(yīng)用的下一代高壓離散電源產(chǎn)品

電動汽車的激增將功率半導體性能的邊界推向了新的高度。傳統(tǒng)上，硅功率器件已用于控制汽車中的各種功率電子系統(tǒng)，例如用于主逆變器電機，泵，HVAC壓縮機，制動...

2021-05-18 標簽：電動汽車二極管 IGBT 2432 0

碳化硅MOSFET的經(jīng)濟高效且可靠的大功率解決方案

碳化硅已被證明是高功率和高電壓設(shè)備的理想材料。但是，設(shè)備的可靠性極其重要，我們不僅指短期可靠性，還指長期可靠性。性能、成本和可制造性也是其他重要因素，但...

2022-08-09 標簽：MOSFET 逆變器 SiC 2430 0

確保SiC驗證測試準確度，有效測量碳化硅功率電子系統(tǒng)中的信號

在功率電子系統(tǒng)中，差分探頭和參考地電平探頭是兩種常用的電壓測量方法。差分探頭是一種流行的選擇，因為它可以毫無問題地添加到電路的任意節(jié)點中。

2021-07-13 標簽：電子系統(tǒng)SiC 碳化硅 2426 0

PCIM2024論文摘要｜新型400V SiC MOSFET用于高效三電平工業(yè)電機驅(qū)動

/摘要/400VSiCMOSFET技術(shù)商用化彌補了長期存在的200V中壓MOSFET與600V超級結(jié)MOSFET之間產(chǎn)品和技術(shù)空缺。400VSiCMOS...

2024-08-08 標簽：MOSFET 電機驅(qū)動 SiC 2425 0

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標準，將該標準引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標準化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實時在線分析和控制決策，進而提高整個電網(wǎng)運行可靠性及經(jīng)濟性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標準交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導體市場帶來的能源。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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