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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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如何實(shí)現(xiàn)高功率密度三相全橋SiC功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā)呢?
為滿足快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)對高功率密度 SiC 功率模塊的需求,進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā),...
碳化硅MOSFET在6.6kW高頻高功率密度功率變換器中的應(yīng)用
本文介紹了碳化硅(SiC)器件在高頻LLC諧振DC/DC轉(zhuǎn)換器中的應(yīng)用,該轉(zhuǎn)換器可用于總線轉(zhuǎn)換器、電動汽車充電器、服務(wù)器電源和儲能。在高開關(guān)頻率下,LL...
2023-05-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器SiC 2737 1
下一代高壓SiC MOSFET的可靠性和穩(wěn)健性測試
在當(dāng)今這一代,電力電子設(shè)備幾乎在從交流適配器到傳輸系統(tǒng)的各個領(lǐng)域都有應(yīng)用。這些器件包含硅 (Si) 作為低壓和高壓器件的主要元素。然而,隨著半導(dǎo)體行業(yè)的...
使用Wolfspeed碳化硅MOSFET對常見拓?fù)溥M(jìn)行建模
現(xiàn)在,工程師比以往任何時候都更多地選擇基于碳化硅 (SiC) 的產(chǎn)品,因?yàn)樗鼈儽然诠?(Si) 的組件具有更高的效率、功率密度和更好的整體系統(tǒng)成本效益...
對于摻雜的SiC外延片,紅外光譜測量膜厚為通用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導(dǎo)致兩者具有不同的折射率,因此試樣的反射光譜會出現(xiàn)反映外延層...
寬帶隙半導(dǎo)體GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)腐蝕
寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性,這些特性使其對高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕,即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HN...
SIC比SI有什么優(yōu)勢?碳化硅優(yōu)勢的實(shí)際應(yīng)用
SiC的導(dǎo)熱性大約是Si的三倍,并且將其他特性的所有優(yōu)點(diǎn)結(jié)合在一起。導(dǎo)熱率是指熱量從半導(dǎo)體結(jié)傳遞到外部環(huán)境的速度。這意味著SiC器件可以在高達(dá)200°C...
盡管電動汽車歷史不遜于內(nèi)燃機(jī)車,但它實(shí)實(shí)在在地被全世界主要國家推廣,發(fā)生在最近十年。相比于已在市場中接受了數(shù)十上百年考驗(yàn)的內(nèi)燃機(jī)車,電動汽車存在許多的不...
碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用
碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化...
淺析功率半導(dǎo)體IGBT及SiC技術(shù)的相關(guān)知識
電力電子技術(shù)在新能源汽車中應(yīng)用廣泛,是汽車動力總成系統(tǒng)高效、快速、穩(wěn)定、安全能量變換的基礎(chǔ)。
寬帶隙半導(dǎo)體材料(如SiC)與更傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料(如Si)相比具有許多優(yōu)勢。考慮帶隙隨著溫度升高而縮小的事實(shí):如果我們從寬帶隙開始,那么溫度升高對功能的...
碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅為應(yīng)用最廣泛、...
采用4引腳封裝的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列
SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列是面向服務(wù)器用電源、太陽能逆變器和電動汽車充電站等要求高效率的應(yīng)用開發(fā)而成的溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC MOSFE...
如何實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET的短路檢測及保護(hù)?
SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性,在充電樁及太陽能逆變器等高頻應(yīng)用中日益得到重視。因?yàn)镾iC MOSFET開關(guān)頻率高達(dá)幾百K赫茲,門極驅(qū)動的設(shè)...
本文介紹了激光在碳化硅(SiC)半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用,概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理,并重點(diǎn)對碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片...
高效氮化鎵電源設(shè)計(jì)方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)高效率
氮化鎵 (GaN) 可提高能效,減少 AC/DC 電源損耗,進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如,借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC),...
SiC MOSFET在電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中的優(yōu)化方案
作者:英飛凌科技資深高級工程師René Mente 談起電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì),諸如碳化硅(SiC)等寬禁帶(WBG)技術(shù)是當(dāng)今進(jìn)行器件選擇時的現(xiàn)實(shí)考慮。65...
2021-03-25 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器SiC 2584 0
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