SiC碳化硅單晶的生長原理

碳化硅單晶襯底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下簡稱SiC襯底）也是晶體材...

2023-05-18 標簽：半導體射頻單晶 3285 0

8英寸SiC晶體生長熱場的設計與優化

碳化硅（SiC）材料被認為已經徹底改變了電力電子行業。其寬帶隙、高溫穩定性和高導熱性等特性將為SiC基功率器件帶來一系列優勢。近年來，隨著新能源汽車企業...

2023-12-20 標簽：半導體功率器件SiC 3272 0

基于SiC MOSFET的儲能變流器功率單元設計方法

摘要：隨著儲能變流器向大容量、模塊化發展，碳化硅（SiC）器件由于其低損耗、耐高溫的特性，逐漸成為研究熱點。然而SiC器件過高的開關速度使其對電路中雜散...

2024-02-22 標簽：MOSFET變換器SiC 3263 0

功率模塊納米銀燒結技術研究進展

以SiC、GaN為主的寬禁帶半導體材料具有高 擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密 度、高遷移率、可承受大功率等特點，非常適合 制作應用于高頻、...

2023-08-18 標簽：芯片半導體材料SiC 3251 0

何謂碳化硅

表中黃色高亮部分是Si與SiC的比較。藍色部分是用于功率元器件時的重要參數。如數值所示，SiC的這些參數頗具優勢。另外，與其他新材料不同，它的一大特征是...

2023-02-22 標簽：半導體SiC功率元器件 3195 0

淺談柵極-源極電壓產生的浪涌

MOSFET和IGBT等功率半導體作為開關元件已被廣泛應用于各種電源應用和電力線路中。其中，SiC MOSFET在近年來的應用速度與日俱增，它的工作速度...

2021-06-12 標簽：MOSFETSiC功率元器件 3146 0

SiC共源共柵在困難條件下的性能解析

本文探討了 SiC 共源共柵在困難條件下（包括雪崩模式和發散振蕩）的性能，并研究了它們在利用零電壓開關的電路中的性能。

2022-05-07 標簽：SiC電壓開關共源共柵 3137 0

碳化硅晶片的化學機械拋光技術研究

為實現碳化硅晶片的高效低損傷拋光，提高碳化硅拋光的成品率，降低加工成本，對現有的碳化硅化學機械拋光 技術進行了總結和研究。針對碳化硅典型的晶型結構及其微...

2024-01-24 標簽：SiC晶片碳化硅 3119 0

新能源電機絕緣系統關鍵參數-PDIV（一）

直奔主題，下圖為典型的雙電極電壓（極性從正極到負極交替變化的電壓）沖擊圖。

2023-07-18 標簽：二極管MOSFETSiC 3106 0

新能源汽車恒流預充固態繼電器解決方案

在新能源汽車領域，低壓的繼電器和保險已逐步被電力電子器件取代，機械電子化成為發展趨勢。因為電子器件取代機械繼電器，不僅大大提高了壽命，沒有開關噪音，同時...

2023-11-16 標簽：新能源汽車固態繼電器SiC 3102 0

不同功率的充電樁設計方案總結

電動汽車充電樁作為電動汽車的能量補給裝置，充電時間和壽命是關系到其性能的最關鍵因素。這就對充電樁的充電效率提出了要求。本文針對兩電平15KW SIC充電...

2023-10-24 標簽：電動汽車MOSFET逆變電路 3061 0

碳化硅器件封裝技術解析

碳化硅 （ SiC ）具有禁帶寬、臨界擊穿場強大、熱導率高、高壓、高溫、高頻等優點。應用于硅基器件的傳統封裝方式寄生電感參數較大，難以匹配 SiC 器件...

2023-12-27 標簽：電力系統封裝技術SiC 3044 0

安森美半導體的SiC電源解決方案解析

可再生能源的產生和收集方面最新進展是使同一個電網可以擴展其發電資源（風能和太陽能），同時可以創建靈活的雙向分配方式，以滿足不同的需求和存儲選擇。

2021-01-19 標簽：二極管驅動器逆變器 3015 0

車規模塊系列（四）：Cu-Clip互連技術簡析

在上篇討論TPAK封裝時，我們聊到了Cu-Clip技術，當然它可以應用在很多模塊封裝形式當中

2023-10-07 標簽：IGBTSiC寄生電感 2983 0

CAN SIC收發器助力復雜CAN網絡高效可靠通信（2）

SIC的作用機理在CAN總線上，通過CAN_H和CAN_L兩根線上的電位差來表示CAN信號。CAN總線上的電位差分為兩種：顯性電平(DominantVo...

2024-08-09 標簽：收發器CAN通信 2962 0