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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06004G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn)，具備超快速開關(guān)、零反...

2025-02-25 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊 395 0

探討正電壓浪涌的對策和其效果

下圖顯示了同步升壓電路中LS導(dǎo)通時柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過。要想抑制事件（II），即HS（非開關(guān)側(cè)）的VGS的正浪涌，正如在上一...

2023-02-28 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率元器件 392 0

SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06006I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220I - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。...

2025-02-26 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊 390 0

UCC5390-Q1 汽車級 17-A 5kv RMS 單通道隔離式柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC5390-Q1 是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動器，具有 10A 拉電流和 10A 灌電流峰值電流，設(shè)計用于驅(qū)動 MOSFET、IGBT 和 SiC M...

2025-05-17 標(biāo)簽：電源 MOSFET SiC 389 0

SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 263 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝...

2025-02-26 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊 387 0

SiC SBD-P3D06008F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220F - 2 封裝，符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備...

2025-02-27 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊 386 0

關(guān)于碳化硅半導(dǎo)體的8大誤區(qū)有哪些

SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里，“魯棒性”是一個工程術(shù)語，通常用來描述一個系統(tǒng)或部件在面對不確定性、干擾或異常條件時的穩(wěn)定性或可靠性。

2023-09-21 標(biāo)簽：IGBT SiC 氮化鎵 379 0

淺談SiC道變器技術(shù)特性及系統(tǒng)優(yōu)勢

相比IGBT芯片面積減少了50% ,取消了IGBT使用的反并聯(lián)二極管。逆變器效率主要與功率器件的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗相關(guān),而SiC逆變器在這兩點(diǎn)均...

2023-01-09 標(biāo)簽：控制器逆變器 IGBT 378 0

分立SIC器件在電驅(qū)系統(tǒng)中的應(yīng)用

更高的效率，省電池，省電費(fèi) 碳化硅控制器具有更高的能量轉(zhuǎn)換效率，在不同的應(yīng)用工況下可使能耗降低3%~6% -同樣的電池容量，增加續(xù)航里程 -同樣的...

2023-02-20 標(biāo)簽：控制器 SiC 碳化硅 367 0

關(guān)于特斯拉電動化路徑總結(jié)

特斯拉自研BMS系統(tǒng)設(shè)計采用主從架構(gòu)，主控制器 (BMU) 負(fù)責(zé)高壓、絕緣測試、高壓互鎖、接觸器控制、對外部通信等功能，從控制器 (BMB) 負(fù)責(zé)單體...

2023-06-07 標(biāo)簽：接觸器特斯拉功率器件 362 0

SiC MOSFET與肖特基勢壘二極管的完美結(jié)合，提升電力轉(zhuǎn)換性能

使用反向并聯(lián)的肖特基勢壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFE...

2025-03-20 標(biāo)簽：MOSFET SiC 肖特基勢壘二極管 360 0

SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實(shí)是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND...

2023-02-22 標(biāo)簽：二極管元器件 SiC 355 0

UCC28C56H-Q1 汽車類 30V、低功耗電流模式 PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊

UCC28C5x-Q1 系列器件是高性能電流模式 PWM 控制器，可用于驅(qū)動各種應(yīng)用中的 Si 和 SiC MOSFET。UCC28C5x-Q1 系列是...

2025-03-20 標(biāo)簽：UVLO 電流模式 SiC 353 0

針對所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對策

只是由于SiC MOSFET的跨導(dǎo)比Si MOSFET的跨導(dǎo)小一個數(shù)量級以上，因此不會立即流過過大的直通電流。所以即使流過了直通電流，也具有足夠的冷卻能...

2023-02-28 標(biāo)簽：二極管 MOSFET SiC 351 0

UCC14141-Q1 汽車級 1.5W、12V VIN、25V VOUT 高密度 >5kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊

UCC14141-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的高隔離電壓 DC/DC 電源模塊，旨在為 IGBT 或 SiC 柵極驅(qū)動器供電。UCC14141-Q1 將變...

2025-04-17 標(biāo)簽：IGBT 電源模塊 SiC 347 0

SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊

P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管，采用 TO - 220 - 2 封裝，符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封...

2025-02-27 標(biāo)簽：肖特基二極管 SiC 數(shù)據(jù)手冊 347 0

TMS320F280034-Q1 汽車級 C2000? 32 位 MCU 120MHz 128KB 閃存數(shù)據(jù)手冊

TMS320F28003x （F28003x）是 C2000? 實(shí)時微控制器系列的成員，該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件專為提高電力電子效率而設(shè)計，包括但不...

2025-04-15 標(biāo)簽：微控制器電力電子 SiC 347 0

碳化硅在多種應(yīng)用場景中的影響

對碳化硅技術(shù)進(jìn)行商業(yè)化應(yīng)用時，需要持續(xù)關(guān)注材料缺陷、器件可靠性和相關(guān)封裝技術(shù)。本文還將向研究人員和專業(yè)人士介紹一些實(shí)用知識，幫助了解碳化硅如何為功率半導(dǎo)...

2025-06-13 標(biāo)簽：晶體管 SiC 功率半導(dǎo)體 347 0

功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析：以SiC與IGBT為例

隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展，碳化硅（SiC）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝...

2025-06-03 標(biāo)簽：IGBT SiC 芯片封裝 341 0

2 kV SiC功率模塊：推動1500 V系統(tǒng)的革命

由于在可靠性、成本和系統(tǒng)級價值方面的顯著提升，具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換中變得越來越普遍。通過將最新一代SiC芯片的阻斷電壓...

2025-03-14 標(biāo)簽：SiC 功率模塊碳化硅 340 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

trinamic

+關(guān)注

TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運(yùn)動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達(dá)到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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手機(jī)快充

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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
浪涌抑制器

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納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽(yù)會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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