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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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SiC材料在牽引系統中的應用

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2018-07-17 標簽：電動汽車 igbt SiC 5156 0

SiC MOSFET進入主流市場，功率器件新局面正式開啟

進一步提高切換頻率會導致硅基解決方案效率與最大輸出功率迅速降低，但SiC MOSFET的低切換損耗不會有此問題。透過此范例的證明，工作頻率高達72kHz...

2019-02-04 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 5138 0

如何混合Si和SiC器件實現完整SiC MOSFET轉換器相同效率的調制方案

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半導體制造裝置之SiC涂層石墨基座介紹

SiC涂層的制備方法主要有凝膠-溶膠法、包埋法、刷涂法、等離子噴涂法、化學氣相反應法(CVR)和化學氣相沉積法(CVD)。

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碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應用差異在哪里？

SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產工藝，WBG 設備顯示出以下優點：

2023-10-09 標簽：晶體管 SiC 氮化鎵 5045 1

SiC MOSFET的結構及特性

SiC功率MOSFET內部晶胞單元的結構，主要有二種：平面結構和溝槽結構。平面SiC MOSFET的結構，

2023-02-16 標簽：MOSFET SiC 晶胞 5040 0

什么是GaN氮化鎵？Si、GaN、SiC應用對比

由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領域主...

2023-04-25 標簽：SiC 氮化鎵 GaN 5032 0

高頻驅動，有利于外圍元器件的小型化

在PWM逆變器驅動時的損耗仿真中，與同等額定電流的IGBT模塊相比，相同開關頻率的損耗在5kHz時減少30%、20kHz時減少55%，總體損耗顯著降低。...

2018-06-15 標簽：元器件逆變器 SiC 5029 0

平面柵和溝槽柵的MOSFET的導通電阻構成

兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結構所以都統稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結構是把柵極構建在結構內部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOS...

2023-06-25 標簽：MOSFET 場效應管 SiC 5027 0

基于SiC的MOSFET器件在電源與電機驅動電路設計中的特點分析

商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅動等電路設計。

2019-12-03 標簽：mosfet 電機驅動 sic 5021 0

GaN 和 SiC 器件相似和差異

GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。

2021-11-17 標簽：SiC GaN 半導體器件 5015 0

碳化硅和硅的優勢對比

寬帶隙半導體使許多以前使用硅（Si）無法實現的高功率應用成為可能，兩種材料的特性說明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個指標上具有明顯的優勢。

2023-10-30 標簽：二極管半導體 SiC 5009 0

功率半導體的革命：SiC與GaN的共舞

功率半導體”多被用于轉換器及逆變器等電力轉換器進行電力控制。目前，功率半導體材料正迎來材料更新換代，這些新材料就是SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵），二...

2013-03-07 標簽：SiC GaN 功率半導體 5003 0

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2019-08-08 標簽：微芯 SiC 5000 0

SiC MOSFET模塊封裝技術及驅動設計

碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導體器件，具有導通電阻低，開關損耗小的特...

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SiC MOSFET必不可少的可靠性測試

在功率器件半導體領域，越來越需要高頻高功率耐高溫的功率器件，隨著時間發展，硅材料在功率器件領域已經達到了材料性能的極限，碳化硅憑借其材料的優越特性開始大放異彩

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