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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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我們都知道,IGBT發生短路時,需要在10us或者更短的時間內關閉IGBT,在相同的短路能耗下可以由其他參數來進行調節,如柵極電壓VGE,母線電壓等,但...
帶保護環的SiC屏蔽DMOSFET的模擬 A.Kanale和B.J.Baliga,“加強短路電流抑制方法的比較”1.2kV SiC功率MOSF...
EQC的銅排設計看上去很不合理,不過需要考慮從兩個分離的負極單獨取電,然后匯集到配電盒里面,對驅動系統和充電系統的配置有一些想法,這項工作的復雜度就比較...
AMB(活性金屬釬焊)工藝技術是DBC(直接覆銅)工藝技術的進一步發展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實現銅箔與陶瓷基片間的焊接。
氮化鎵功率器件具有較低的導通阻抗和較高的開關速度,使其適用于高功率和高頻率應用,如電源轉換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領域。由于其優異的性能,氮化鎵...
最終的器件是額定電壓為650 V的FET,具有4 V的高閾值,小于15mΩ的導通電阻以及類似于單芯片的封裝。
在SiC MOSFET的開發與應用方面,與相同功率等級的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導通電阻、開關損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率...
使用SIC MOS的開發人員是越來越多,但驅動電壓到底選15V還是18V,每個人都有自己的理解,今晚聽許老師講SIC MOS驅動技術,有些感悟分享給大家。
在未來幾年投入使用SiC技術來應對汽車電子技術挑戰是ECSEL JU的WInSiC4AP專案所要達成的目標之一。ECSEL JU和ESI攜手為該專案提供...
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