【2022年5月10日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）發布了一項全新的CoolSiC?技術，即CoolSiC? MOSFET 1200 V
2022-05-10 14:10:02
2669 
導通電阻（RDSON）指的是在規定的測試條件下，使MOSFET處于完全導通狀態時（工作在線性區），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導通狀態下對電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:34851 
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發動機壓電噴射系統。
2012-08-15 11:25:081643 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現在4.5V柵極驅動下4.8mΩ最大導通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:401708 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 近日推出具有超低導通電阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，適合各種工業應用，包括電
2012-12-04 22:17:341512 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業應用提供基準導通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導通電阻，有助于提升系統效率，還可讓設計人員在多個MOSFET并聯使用時減少產品的組件數量。
2013-01-22 13:27:211482 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業內首款適用于標準柵極驅動電路的器件，10 V條件下最大導通電阻降至4 m?，采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-10-05 07:04:006089 ? 1、超級結構 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓以
2023-10-07 09:57:367894 
靠性。在碳化硅材料中，垂直界面的缺陷密度明顯低于橫向界面。這就為性能和魯棒性特征與可靠性的匹配提供了新的優化潛力。 安富利合作伙伴英飛凌推出的CoolSiC MOSFET G2溝槽技術繼承了G1的高可靠性。 基于所有已售出的CoolSiC MOSFET G1、分立器件和工
2024-05-16 09:54:311022 
瑞薩電子日前發售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產品“在封裝尺寸為2mm見方的產品中，實現了業界最高水平的低導通電阻”。
2012-04-13 09:19:341587 日前發布的MOSFET導通電阻比市場上排名第二的產品低43%，降低壓降并減小傳導損耗，從而實現更高功率密度。
2020-08-17 11:53:141069 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出非常適用于FA和機器人等工業設備以及空調等消費電子產品的共計24款Pch MOSFET*1/*2產品，其中包括支持24V輸入電壓的－40V
2020-12-26 10:31:422332 該功率MOSFET采用碳化硅（SiC）這種新材料，與常規的硅（Si）MOSFET、IGBT產品相比，具有高耐壓、高速開關和低導通電阻特性，有利于降低功耗，精簡系統。
2020-10-20 15:18:001862 Easy模塊F3L11MR12W2M1_B74專為在整個功率因數（cos φ）范圍內工作而設計，它采用最先進的CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT7技術，并具備更高的二極管額定值。
2021-06-09 11:30:261618 最新一代面向汽車應用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無引腳、堅固的功率封裝。該系列產品采用了 300 毫米薄晶圓技術和創新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有
2023-06-06 11:01:361384 
? MOSFET 2000 V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線
2024-03-14 11:07:58975 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術，據官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術，相比上一代產品也就是CoolSiC MOSFET G1有
2024-03-19 18:13:183710 
? 【 2024 年 4 月 15 日 ， 德國慕尼黑 訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出其最新先進功率MOSFET 技術—— OptiMOS? 7
2024-04-16 09:58:445117 
【 2024 年 6 月 18 日，德國慕尼黑訊】 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴大其用于汽車應用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產品組合
2024-06-18 17:51:28873 
MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術，開啟了電力系統和能量轉換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量儲存系統、電動汽車充電、電源和電機驅動
2024-07-25 16:14:17788 ~CoolSiC? MOSFET D2PAK 7-pin這些半導體器件具有 3 μs的短路能力 ，MOSFET提供全壓擺率（dV/dt）控制以及4.5 V基準柵極閾值電壓（VGS(th)）。它們還具備 強大的抗
2022-08-09 15:17:41
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
最后一個字母“I”識別（例如BSC010N04LSI）。圖1：英飛凌新一代MOSFET具有更低的導通電阻RDS(on) 導通電阻是MOSFET最重要的參數之一，但其他參數通常具備同等重要性，有時對于
2018-12-06 09:46:29
集成電路。CoolSET F3系列產品適用于DVD錄放機、平板液晶顯示器、數字動畫攝影機、筆記本電腦及其它便攜式電子產品的電源轉換器。 CoolSET F3系列產品內置多種功能；主動的沖突模式
2018-08-27 16:14:04
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業界最低導通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關鍵詞】：功率損耗,導通電阻
2010-05-06 08:55:20
DirectFET2功率環保封裝 由于采用COOLiRFET硅技術, 40V AUIRF8736M2與上一代設備相比，導通電阻（Rds（on））改善了40%,從而可以將傳導損耗降到最低。雙面冷卻的中罐式
2018-09-28 15:57:04
MOSFET 采用 100%銅夾片LFPAK 封裝。該封裝堅固耐用，提供較高的板級可靠性和出色的熱性能。LFPAK 封裝適用于汽車以及工業和消費類應用。△ 具有較大 SOA 的 Nexperia MOSFET適用于 36V 鋰電池系統應用
2022-10-28 16:18:03
的設計而言，它大幅降低了MOSFET導通電阻，并保持了出色的開關性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進一步改進了設計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
）”，非常適用于FA等工業設備和基站（冷卻風扇）的電機驅動。近年來，為了支持工業設備和基站的電機所使用的24V輸入，MOSFET作為用于驅動的器件，需要具備考慮到電壓穩定裕度的、40V和60V的耐壓能力
2021-07-14 15:17:34
? MOSFET幾乎都沒有寄生導通。 假設有一個良好設計的、柵漏極電容極低的PCB布局，這時英飛凌鼓勵電力電子工程師使用0V的柵極關斷電壓來操作CoolSiC? MOSFET分立器件。這有助于簡化柵極驅動的設計，同時保證性能不受影響。原作者： Klaus Sobe 英飛凌工業半導體
2023-02-27 13:53:56
ROHM推出內置耐壓高達80V的MOSFET的DC/DC轉換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉換器IC的業界最高水平，在ROHM的DC/DC
2018-10-19 16:47:06
ROHM推出內置耐壓高達80V的MOSFET的DC/DC轉換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉換器IC的業界最高水平，在ROHM的DC/DC轉換器
2018-12-04 10:10:43
。過去 十年 ，針對 大量 工業和 汽車應 用售 出了逾 5000 萬個 帶有 不同芯 片組 的EasyPACK 模塊。同時，英飛凌豐富的 CoolSiC 產品組合被廣泛應用于工業應用領域。隨著
2021-03-27 19:40:16
并提高可靠性。東芝實驗證實，與現有SiC MOSFET相比，這種設計結構在不影響可靠性的情況下[1]，可將導通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設備電能，降低功耗以及實現碳中和
2023-04-11 15:29:18
銳駿半導體本周正式發布兩款全新超低導 通電阻MOSFET產品，型號分別為RUH4040M-B（40V/40A）和RUH4080M-B（40V/80A）。這兩款產品均采用DFN5060封裝，憑借先進
2024-10-14 09:40:16
極電流，驅動電路簡單，需要的驅動功率小，開關速度快，工作頻率高，熱穩定性優于GTR， 但其電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。 功率MOSFET的結構和工作原理 功率
2023-02-27 11:52:38
IR推出75V低側智能功率開關，適用于嚴苛的24V汽車環境
國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出AUIPS2051L和AUIPS2052G 75V低側智能功率開關(IPS) ，適用于嚴苛的24V汽
2009-11-04 08:50:54906 Vishay Siliconix推出業內最低導通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011281 TI 推出具備最低導通電阻的完全整合型負載開關
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:281097 適用于節能家電的創新功率轉換器件
英飛凌科技股份公司近日推出適用于節能家用電器電機驅動裝置的功率轉換器件系列。全新的600V RC IGBT驅動系列（RC指逆向導
2010-01-23 08:37:071311 英飛凌推出適用于節能家電的創新功率轉換器件
英飛凌科技股份公司近日推出適用于節能家用電器電機驅動裝置的功率轉換器件系列。全新的600V RC IGBT驅動系列（RC指
2010-01-25 08:44:191026 適用于汽車的DirectFET2功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出適用于汽車的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET2 功率 MOSFET。這兩款產品以堅固可靠、
2010-01-26 16:25:041600 采用PQFN封裝的MOSFET 適用于ORing和電機驅動應用
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，其中包括能夠提供業界最低導通電阻 (R
2010-03-12 11:10:071481 IR智能電源開關為24V汽車應用提供超低導通電阻
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出 AUIPS7111S 高側智能電源開關。該產品具有超低的導
2010-03-19 09:14:551305 導通電阻,導通電阻的結構和作用是什么?
傳統模擬開關的結構如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯構成，可使正負信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475526 IR推出汽車專用MOSFET系列低導通電阻
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32899 全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (InternaTIonal Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。該器件采用業界標準SOT-23封裝，具有超低導通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電
2010-07-22 09:29:411349 飛兆半導體推出了導通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391735 東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導通電阻功率MOSFET，該產品也成為其專為汽車應用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產品“TK80A04K3L”還實現了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產品不但非常適用于汽車應用，還適用于電機驅動器和開關穩壓器
2013-01-22 10:25:301079 瑞薩電子宣布推出新款低導通電阻MOSFET產品，包括經過最佳化的μPA2766T1A，做為網路伺服器與儲存系統之電源供應器內的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101186 日前，Vishay宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221588 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅動下具有業內最低的導通電阻，在便攜電子產品里能夠節省空間，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:441066 全球功率半導體和管理方案領導廠商–國際整流器公司近日推出75V器件以擴充StrongIRFETMOSFET系列，適合多種工業應用，包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機驅動器、鋰離子電池組保護、熱插拔及開關電源（SMPS）二次側同步整流等應用。
2014-11-13 15:40:191135 高效率的解決方案。這顆器件具有業內最低的優值系數 （FOM 即柵極電荷與導通電阻乘積），該參數是600V MOSFET在功率轉換應用的關鍵指標。
2017-02-10 15:10:112069 MOSFET的導通電阻
2018-08-14 00:12:0013926 模塊分別針對CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4芯片組的最佳點損耗進行了優化，具有更高的功率密度和高達48 kHz的開關頻率，適用于新一代1500V光伏和儲能應用。
2019-09-14 10:56:004839 安森美半導體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開關性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導通電阻
2020-06-15 14:19:404447 英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:493513 英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現最高
2021-03-01 12:16:022799 在功率半導體器件中，MOSFET以高速、低開關損耗、低驅動損耗在各種功率變換，特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領域，MOSFET沒有競 爭對手，但隨著MOS的耐壓提高，導通電阻隨之以
2022-03-17 09:35:333484 。這種創新的功率器件適用于汽車應用，特別適用于 EV 逆變器，尤其是具有 800-V 電池系統和更大電池容量的車輛。它提供更
2022-08-04 17:09:471830 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，現已開始出貨。
2022-09-01 15:37:53952 ROHM | 開發出具有業界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44867 
新產品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現了僅2.1mΩ的業界超低導通電阻（Ron）*2，相比以往產品，導通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06672 
列產品的參考資料，助力您快速了解產品各項信息。 點擊下載產品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場上更受歡迎
2023-05-17 13:35:021116 
英飛凌推出采用TO-247PLUS SMD封裝的EDT2工業級分立IGBT，采用750V EDT2 IGBT技術，具有最低的導通損耗和開關損耗，這可以使電動商用車的電池電壓達到450Vdc
2023-05-19 12:42:27991 ?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設備和電池組保護。產品發貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22973 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護。
2023-11-09 17:39:101010 的工作效率。在這些應用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應用于各種電 路中，制造商要求進一步降低功耗。另一方面，“導通電阻
2023-11-20 01:30:56753 產品推薦 | 適用于PD3.1標準的PRISEMI芯導科技MOSFET產品
2023-12-29 10:29:40718 近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:571191 英飛凌科技股份公司近日發布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應用的需求。
2024-02-01 10:51:001204 另外，CoolSiC MOSFET產品組合還成功實現了SiC MOSFET市場中的最低導通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統中的可靠性，降低了零件使用數量。
2024-03-10 12:32:411446 碳化硅（SiC）技術一直是推動高效能源轉換和降低碳排放的關鍵，英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G2）技術，也是要在這個領域提高了MOSFET的性能指標，擴大還在光伏、儲能、電動汽車充電等領域的市場份額。
2024-03-12 09:33:261214 
在電力電子領域持續創新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創新技術的推出，標志著功率系統和能量轉換領域迎來了新的里程碑，為行業的低碳化進程注入了強大動力。
2024-03-12 09:43:291036 英飛凌最近發布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業和汽車領域對更高能效和功率密度的不斷增長需求。這款產品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋
2024-03-15 16:31:45908 
英飛凌科技股份公司，作為全球領先的半導體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創新產品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:291160 英飛凌科技近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業和汽車功率應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業級和車規級SiC? MOSFET，針對圖騰柱
2024-04-19 14:45:26518 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC? MOSFET 2000V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統可靠性。
2024-05-24 10:13:451715 
基解決方案，豐富了英飛凌的寬帶隙產品陣容。該系列產品配備集成式快速體二極管，適用于服務器和工業開關模式電源裝置（SMPS）、電動汽車充電器、微型太陽能等
2024-06-26 18:12:00716 
全球能源轉型相關應用領域，例如，光伏、儲能、電動汽車和電動汽車充電基礎設施。英飛凌CoolSiC產品系列在這些領域大有可為。掃碼下載英飛凌碳化硅白皮書QCoolSi
2024-07-12 08:14:41805 
英飛凌再次引領行業潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技術創新和卓越性價比，在全球范圍內樹立了高壓超級結MOSFET技術的新標桿。作為英飛凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:45888 半導體器件 650 V產品組合。 這兩個產品系列基于CoolSiC 第2代（G2）技術，在性能、可靠性和易用
2024-09-07 10:02:071630 近日，銳駿半導體正式推出了兩款全新的超低導通電阻MOSFET產品，為市場帶來了更加高效的解決方案。
2024-10-08 15:15:39686 高效率的汽車功率模塊，適用于電動汽車 (EV) 以及混合動力電動汽車 (HEV) 的牽引逆變器。 英飛凌HybridPACK Drive G2模塊結合了英飛凌新一代EDT3 (Si IGBT) 和CoolSiC? G2 MOSFET芯片技術，可實現性能擴
2024-11-29 14:58:55321 。CoolSiCMOSFET750V充分利用了英飛凌20多年的SiC經驗。它在性能、可靠性和堅固性方面都具有優勢，并具有柵極驅動靈活性，從而簡化了系統設計，提高了成本效益，實現了最高的效率和功率
2024-12-20 17:04:51600 新品QDPAKTSC頂部散熱封裝工業和汽車級CoolSiCMOSFETG18-140mΩ750V新推出的CoolSiCMOSFET750VG1是一個高度可靠的SiCMOSFET系列，具有最佳的系統性
2025-01-17 17:03:27669 【2025年2月20日, 德國慕尼黑訊】 電子行業正在向更加緊湊而強大的系統快速轉型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統層面的創新，全球功率系統、汽車和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份
2025-02-21 16:38:52441 
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業級高性能服務器和AI服務器電源，開發出實現了業界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:04593 
英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m
2025-03-15 18:56:32469 TPS22995是一款單通道負載開關，集成了N-channel MOSFET，具有低導通電阻（18 mΩ）和可配置的上升時間，用于限制啟動時的涌入電流。該開關適用于筆記本電腦、平板電腦、工業PC及離散工業解決方案等應用。
2025-05-07 17:52:38289 
新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產品，專為各種工業應用開發，包括工業
2025-05-27 17:03:36297 新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VSiCMOSFET單管，專為各種工業應用開發，包括工業驅動
2025-05-29 17:04:21429 問題。今天的文章將會主要聚集在G2的導通特性上。在MOSFET設計選型過程中，工程師往往會以MOSFET常溫下漏源極導通電阻RDS(on)作為第一評價要素。RDS(o
2025-06-16 17:34:51142 英飛凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有業界領先的抗寄生導通能力和成熟的柵極氧化層技術，可在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等硬開關拓撲中實現卓越性能。
2025-06-20 14:44:26372 開關和硬開關兩種場景下，如何進行CoolSiCMOSFETG2的選型。G2在硬開關拓撲中的應用除了RDS(on)，開關損耗在SiCMOSFET的選型中也扮演著非常
2025-06-23 17:36:47169 揚杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產品，產品采用特殊優化的SGT技術，具有較低的導通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導通和開關損耗，同時提升了MOSFET抗沖擊電流能力，非常適合應用于高功率密度和高效率電力電子變換系統。
2025-06-27 09:43:53245 
新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引腳封裝（TO-263-7），該系列導通電阻（RDS
2025-07-01 17:03:11543
電子發燒友App
工商網監
評論