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科銳宣布將在美國紐約州建造全球最大SiC制造工廠

半導體動態 ? 來源:wv ? 作者:全球半導體觀察 ? 2019-09-26 17:15 ? 次閱讀
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近日,科銳在官網宣布擴產計劃進展,表示將在美國紐約州建造全球最大SiC制造工廠。

通過與紐約州州長(Andrew M. Cuomo)辦公室以及其他州立與當地機構和實體的戰略合作,科銳決定在美國紐約州Marcy建造一座全新的采用最先進技術并滿足車規級標準的200mm功率和射頻RF晶圓制造工廠,而與之相輔相成的超級材料工廠(mega materials factory)的建造擴產正在公司達勒姆總部開展進行。

作為該合作的一部分,科銳將投資近10億美元,用于在紐約州fab的建造、設備和其它相關成本。紐約州將提供來自Empire State Development 的5億美元資金,同時科銳可以享受額外的當地激勵政策和減稅以及來自紐約州立大學的設備和工具。

這一新制造工廠旨在顯著提升用于Wolfspeed碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)業務的產能,將建設成為一座規模更大、高度自動化和更高生產能力的工廠。

新工廠計劃將于2022年實現量產,完工面積達到480,000平方英尺,其中近1/4將是超凈間,提供未來所需產能擴充。這些擴展計劃,將進一步提升科銳在市場競爭的領先地位,加速碳化硅(SiC)在一系列高增長產業中的采用。

科銳指出,公司將繼續推進從硅(Si)向碳化硅(SiC)技術的轉型,滿足公司開創性Wolfspeed技術日益提升的需求,支持電動汽車(EV)、4G/5G移動和工業市場的不斷增長。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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