Texas Instruments LMG2652 650V 140mΩ GaN功率FET半橋簡化了設(shè)計(jì)，減少了元件數(shù)量，減少了電路板空間。通過在6mmx8mm QFN封裝中集成半橋功率FET、柵極驅(qū)動器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動電平轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)了簡化。與傳統(tǒng)的電流檢測電阻器相比，低側(cè)電流檢測仿真降低了功耗。它允許低側(cè)散熱焊盤連接到冷卻PCB電源接地。

數(shù)據(jù)手冊：*附件：Texas Instruments LMG2652 650V 140mΩ GaN功率FET半橋數(shù)據(jù)手冊.pdf

高側(cè)GaN功率FET可通過低側(cè)參考柵極驅(qū)動引腳（INH）或高側(cè)參考柵極驅(qū)動引腳（GDH）進(jìn)行控制。在具有挑戰(zhàn)性的電源開關(guān)環(huán)境中，高側(cè)柵極驅(qū)動信號電平轉(zhuǎn)換器將INH引腳信號可靠地傳輸?shù)礁邆?cè)柵極驅(qū)動器。智能開關(guān)GaN自舉FET沒有二極管正向壓降，可避免高側(cè)電源過充，并具有零反向恢復(fù)電荷。

Texas Instruments LMG2652支持轉(zhuǎn)換器輕負(fù)載效率要求和突發(fā)模式運(yùn)行，具有低靜態(tài)電流和快速啟動時(shí)間。保護(hù)特性包括FET導(dǎo)通聯(lián)鎖、欠壓閉鎖（UVLO）、逐周期電流限制和過熱關(guān)斷。

特性

• 650 V GaN功率FET半橋
• 140mΩ低側(cè)和高側(cè)GaN FET
• 集成柵極驅(qū)動器，具有<100ns低傳播延遲
• 電流檢測仿真，具有高帶寬和高精度
• 低側(cè)基準(zhǔn)（INH）和高側(cè)基準(zhǔn)（GDH）高側(cè)柵極驅(qū)動引腳
• 低側(cè)（INL）/高側(cè)（INH）柵極驅(qū)動聯(lián)鎖
• 高側(cè)（INH）柵極驅(qū)動信號電平轉(zhuǎn)換器
• 智能開關(guān)自舉二極管功能
• 高側(cè)啟動：< 8μs
• 低側(cè)/高側(cè)逐周期過流保護(hù)
• 過溫保護(hù)
• AUX空閑靜態(tài)電流：250μA
• 輔助待機(jī)靜態(tài)電流：50μA
• BST空閑靜態(tài)電流：70μA
• 8mm×6mm QFN封裝，帶雙散熱焊盤

應(yīng)用

• 交流/直流適配器和充電器
• 交流/直流USB壁式電源
• 交流/直流輔助電源
• 移動壁式充電器設(shè)計(jì)
• USB壁式電源插座

簡化框圖