動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2024-04-25 11:38

  如何看待半導(dǎo)體行業(yè)未來的新趨勢

  

  如何看待半導(dǎo)體行業(yè)未來的新趨勢

  人工智能 半導(dǎo)體 芯片

  1.1k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-04-24 11:48

  碳化硅 (SiC) MOSFET：為汽車電氣化的未來提供動(dòng)力

  

  隨著人們更加注重可持續(xù)性發(fā)展的經(jīng)濟(jì)新模式，我們的居住方式、工作狀態(tài)以及使用車輛的通勤和休閑方式都在發(fā)生相應(yīng)的變化。尤其是在交通運(yùn)輸領(lǐng)域的變革，因?yàn)槲覀冃枰獪p少對化石燃料等不可再生資源的依賴，以減輕對環(huán)境的影，推動(dòng)了一系列能夠顯著提升效率并加快電氣化轉(zhuǎn)變的產(chǎn)品的問世。功率半導(dǎo)體技術(shù)近年來快速進(jìn)步，配備了碳化硅(SiC)MOSFET的電動(dòng)汽車(EV)如今能夠行駛

  MOSFET 汽車 碳化硅

  1.3k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-04-23 10:49

  利用 Ga-FIB 洞察 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體結(jié)

  

  盡管傳統(tǒng)高壓平面MOSFET取得了進(jìn)步，但由于阻斷或漏源擊穿電壓因厚度、摻雜和幾何形狀而變化，因此局限性仍然存在。本文將講解超級(jí)結(jié)MOSFET(例如意法半導(dǎo)體的MDmesh技術(shù))通過晶圓上又深又窄的溝槽來應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。01該技術(shù)非常適合開關(guān)模式電源，采用超級(jí)結(jié)多漏極結(jié)構(gòu)來降低漏源壓降。高漏電或軟擊穿電壓等問題可能是由塊狀形成中的污染物或缺陷引??起的。因此，

  GaN SiC 功率半導(dǎo)體

  791瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-04-22 13:52

  臺(tái)灣晶圓代工與IC封裝測試2023年均為全球第一

  

  臺(tái)灣作為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)航者，匯聚著眾多全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司。根據(jù)駐新加坡臺(tái)北代表處發(fā)布最新一期《2023年臺(tái)灣與全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈回顧》報(bào)告，在晶圓代工和集成電路(IC)封裝測試方面，2023年臺(tái)灣均位居第一。報(bào)告稱，臺(tái)積電在全球半導(dǎo)體晶圓代工市場上保持優(yōu)勢地位，其產(chǎn)值之市占率從2022年的55.4%，提升至2023年的58.9%，并在2023年第四季達(dá)到6

  IC封裝 晶圓

  1.1k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-04-22 13:51

  氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)開發(fā)的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)

  

  氮化鎵(GaN)功率器件以離散形式已在電源充電器的應(yīng)用領(lǐng)域得到廣泛采用。在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，GaN高遷移率電子晶體管(HEMT)的諸多材料和器件優(yōu)勢也推動(dòng)了它在多樣化應(yīng)用中的電源轉(zhuǎn)換使用，例如數(shù)據(jù)中心、可再生能源和電動(dòng)汽車。在本文中，我們將探討創(chuàng)建GaN功率集成電路(ICs)的一些優(yōu)勢和挑戰(zhàn)。01創(chuàng)造GaN功率IC的動(dòng)機(jī)基于硅的功率管理集成電路(PMICs)被

  IC 氮化鎵 氮化鎵電源 集成電路

  2.9k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-04-19 13:59

  汽車電子化潮流推動(dòng)磁傳感器市場蓬勃發(fā)展

  

  隨著現(xiàn)代汽車行業(yè)迅猛發(fā)展，汽車“三化”特征——智能化、電動(dòng)化、網(wǎng)絡(luò)化日益顯著，車輛的電子功能不斷豐富，例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、防抱死剎車系統(tǒng)(ABS)以及電子加速踏板等。這些進(jìn)步背后，磁傳感器的需求量悄然增長。磁傳感器主要用于測量汽車的車速、輪速、曲軸位置、凸輪軸位置等重要參數(shù)，它們在ABS和電動(dòng)車電機(jī)控制等關(guān)鍵系統(tǒng)中扮演著不可缺少的角色。全球磁傳感器市場目前正處

  傳感器 汽車電子 測量 磁傳感器

  1.1k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-04-19 13:55

  封裝技術(shù)會(huì)成為摩爾定律的未來嗎?

  

  你可聽說過摩爾定律?在半導(dǎo)體這一領(lǐng)域，摩爾定律幾乎成了預(yù)測未來的神話。這條定律，最早是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾于1965年提出，簡單地說就是這樣的：集成電路上可容納的晶體管數(shù)量大約每兩年翻一番，性能也隨之增強(qiáng)。這不僅是一條觀察法則，更像是一道命令，催促著整個(gè)行業(yè)向著更小、更快、更便宜的方向發(fā)展。01但這些年來，摩爾定律好像遇到了壁壘。我們的芯片已經(jīng)小得難

  封裝技術(shù) 晶體管 芯片

  585瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-04-18 11:50

  阿斯麥(ASML)公司首臺(tái)高數(shù)值孔徑EUV光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)突破性成果

  

  在半導(dǎo)體領(lǐng)域，技術(shù)創(chuàng)新是推動(dòng)整個(gè)行業(yè)向前發(fā)展的重要?jiǎng)恿Α＝眨商m阿斯麥(ASML)公司宣布，成功打造了首臺(tái)采用0.55數(shù)值孔徑(NA)投影光學(xué)系統(tǒng)的高數(shù)值孔徑(High-NA)極紫外(EUV)光刻機(jī)，并已經(jīng)成功印刷出首批圖案。這一重要成就，不僅標(biāo)志著ASML公司技術(shù)創(chuàng)新的新高度，也為全球半導(dǎo)體制造行業(yè)的發(fā)展帶來了新的契機(jī)。目前，全球僅有兩臺(tái)高數(shù)值孔徑EUV

  EUV 光刻機(jī) 半導(dǎo)體

  1.3k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-04-18 11:49

  GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法

  

  氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢，如寬能隙和高電子遷移率。當(dāng)用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時(shí)，這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢，因?yàn)槠錈o反向恢復(fù)損失且電容相對較小。隨著這項(xiàng)技術(shù)在更廣泛的應(yīng)用范圍內(nèi)推廣，詳細(xì)理解提高產(chǎn)量和可靠性的根本原因至關(guān)重要。本文中，我們總結(jié)了在GaN晶圓加工過程中常見的一些缺陷，以及用于檢測這些缺陷的表征技術(shù)。01氮化鎵晶體結(jié)構(gòu)

  GaN HEMT 氮化鎵

  2.2k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2024-04-17 13:47

  新能源汽車蓬勃發(fā)展，IGBT供應(yīng)緊張下的技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)能擴(kuò)張

  

  IGBT作為電機(jī)和電控系統(tǒng)的關(guān)鍵組件，對新能源汽車的性能有著直接影響，尤其在功率逆變器模塊中扮演關(guān)鍵角色。據(jù)統(tǒng)計(jì)，IGBT模塊約占新能源汽車總成本的5%，此外還廣泛應(yīng)用于車載空調(diào)控制系統(tǒng)等。

  IGBT 新能源汽車 晶體管

  544瀏覽量