上海貝嶺原廠分銷-粵華信科技供應 BL9342 SOT23-6 40V600mA DC-DC降壓芯片
BL9342 是一款高頻（1.8MHz）降壓開關穩壓器，集成了高端高壓功率 MOSFET。它提供單路高效輸出，最大電流 0.6A，并在電流模式控制下實現快速環路響應。寬輸入電壓范圍（4.2V 至 40V）可滿足各種降壓電源轉換應用，低關斷電流特性適用于電池供電場景。在輕負載條件下，通過降低開關頻率可減少開關和柵極驅動損耗，實現寬負載范圍內的高效功率轉換。頻率折疊技術有助于防止啟動時電感電流失控，熱關斷功能則提供可靠的容錯操作。
特性
- 230μA 工作靜態電流
- 4.2V 至 40V 寬工作電壓范圍
- 500mΩ 內部功率 MOSFET
- 1.8MHz 固定開關頻率
- 內部補償
- 陶瓷輸出電容穩壓
- 內部軟啟動
- 無需采樣電阻的精密限流
- 最大效率可達 90%
- 低關斷電流
應用 - 高壓功率轉換
- 儀器儀表
- 工業電源系統
- 分布式電源系統
- 電池供電系統
封裝 - 引腳 SOT23-6 封裝
- BST（自舉引腳）：內部浮置高端 MOSFET 的驅動正電源端。需在此引腳與 SW 引腳之間連接一個旁路電容。
- GND（接地）：接地端應盡可能靠近輸出電容連接，以避開大電流開關路徑。
- FB（反饋）：誤差放大器的輸入端。連接至輸出端和地的外部電阻分壓器會與 + 0.794V 的內部基準電壓比較，以設定穩壓值。
- EN（使能輸入）：當引腳電壓低于指定閾值時，芯片關斷；高于閾值時，芯片工作。懸空時芯片關閉?？蛇B接 100kΩ 電阻至 VIN 以自動開啟。
- VIN（電源輸入）：為所有內部控制電路（包括開關管）供電。需連接接地去耦電容以降低開關尖峰。
- SW（開關引腳）：高端開關輸出端。需連接低正向壓降的肖特基二極管至地，以減小開關尖峰。
脈寬調制控制
在中等至較大輸出電流條件下，電路工作在固定頻率和峰值電流控制模式，以調節輸出電壓。PWM周期由內部時鐘產生，功率MOSFET一直導通，直到其電流達到COMP電壓的設定值。當功率管關斷時，在下一個周期開始前，它將保持關斷至少100納秒。在一個PWM周期內，如果MOSFET管中的電流未達到COMP設定的電流值，功率MOSFET將保持導通，從而節省一次開關操作。
脈沖跳變模式
在輕載時，電路進入跳脈沖模式以提高輕載效率。跳脈沖的判斷基于其內部的COMP電壓。如果COMP引腳電壓低于內部休眠閾值，就會產生一個暫停指令，阻止時鐘脈沖開啟，從而使功率MOSFET無法按指令導通，這樣可以節省驅動和開關損耗。這個暫停指令還會使整個芯片進入休眠模式，并消耗極低的靜態電流，以進一步提高輕載效率。
當比較器（COMP）電壓高于休眠閾值時，暫停信號復位，芯片恢復正常的脈寬調制（PWM）運行。每次暫停指令狀態從低電平變為高電平，會立即產生一個導通信號來開啟功率MOSFET。
誤差放大器
誤差放大器由一個內部運算放大器以及連接在其輸出端（內部COMP節點）與負輸入端（FB）之間的阻容反饋網絡組成。當FB低于其內部參考電壓（REF）時，運算放大器會將COMP驅動至更高電平，從而導致更高的開關峰值電流輸出，進而有更多能量傳輸至輸出端，反之亦然。
通常情況下，反饋引腳（FB）連接到一個由上拉電阻（RUP）和下拉電阻（RDN）組成的分壓器，其中下拉電阻（RDN）連接反饋引腳（FB）和地，而上拉電阻（RUP）連接電壓輸出節點和反饋引腳（FB）。同時，上拉電阻（RUP）與內部補償RC網絡共同控制誤差放大器的增益。
內部穩壓源
大多數內部電路由內部2.6V穩壓器供電。穩壓器輸入為VIN，可在整個\(VIN\)范圍內工作。當\(VIN\)大于4.0V時，穩壓器正常輸出。當VIN低于4.0V時，輸出也會降低。
使能控制
該電路有一個特殊的使能控制端EN。當VIN足夠高時，可通過EN端使能和禁用芯片。高電平有效。下限閾值為1.6V?；夭顬?.6V。當處于暫停狀態時，EN端內部接地，芯片被禁用。當EN端被拉至0V時，芯片進入最低關斷電流模式。當EN端電壓高于0V但低于其閾值時，芯片仍處于關斷模式，但關斷電流會略有增加。
欠壓鎖定（UVLO）
輸入電壓的欠壓鎖定（UVLO）可保護芯片在電源電壓不足的情況下不工作。
內部軟啟動
采用軟啟動來防止轉換器的輸出電壓在啟動時過沖。芯片啟動時，內部電路會產生一個軟啟動電壓（SS），該電壓從0V開始，由軟啟動時間設定且上升速度緩慢。當它低于內部基準電壓REF時，SS為主要參考，誤差放大器使用SS而非REF作為參考。當SS高于REF時，REF起主導作用。SS也與FB相關。SS可以遠低于FB，但只能略高于FB。如果FB意外下降，SS也會跟蹤FB的下降。此功能旨在應對短路恢復情況。當短路消除后，SS的上升過程就如同重新啟動軟啟動過程，可防止輸出電壓過沖。
