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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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碳化硅功率器件簡介、優勢和應用

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VE-Trac IGBT和碳化硅(SiC)模塊如何延長電動車續航能力

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什么是碳化硅？碳化硅的拋光方法主要有哪些？

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2023-02-10 標簽：功率器件 SiC CMP 3535 0

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對Si3N4-AMB覆銅基板較為關心的三大方面

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2023-03-16 標簽：PVD SiC 功率模塊 3451 0

什么是SiC boat？SiC boat有幾種不同的制作工藝？

SiC boat，即碳化硅舟。碳化硅舟是用在爐管中，裝載載晶圓進行高溫處理的耐高溫配件。

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碳化硅在高溫下能與氧發生反應嗎？

　碳化硅的應用主要在于它的半導體性能與力學性能兩個方面。高溫下與氧反應。

2023-02-20 標簽：半導體 SiC 碳化硅 3439 0

全電飛機航空電子系統的設計方案解析

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2023-01-10 標簽：電機驅動 SiC 碳化硅 3421 0

在正確的比較中了解SiC FET導通電阻隨溫度產生的變化

650V SiC MOSFET的擁護者可能會指出，他們發現其他類似器件在Tj =125°C下的該數值通常為+20-25%。這能說明SiC MOSFET比...

2021-01-08 標簽：MOSFET SiC 柵極驅動 3418 0

功率半導體迎來SiC時代？碳化硅（SiC）的需求快速增長

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SiC MOSFET和SiC SBD的區別

SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導體器件，它們...

2024-09-10 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 3367 0

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與傳統半導體材料硅、鍺相比，第三代半導體材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率高、高溫穩定性好以及...

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摘要：碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能，表現出巨大的應用前景，其中金屬-氧化物-場效應晶體管 MOSFET是最重要的器件。3300 V SiC...

2024-01-04 標簽：MOSFET 光伏晶體管 3362 0

碳化硅單晶襯底的常用檢測技術

碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，因其寬禁帶寬度、高擊穿電場強度和高熱導率等優異性能，在眾多高端應用領域表現出色，已成為半導體材料技術的重要發展方向...

2024-01-17 標簽：半導體晶體管 SiC 3354 0

深度了解SiC的晶體結構

SiC是由硅（Si）和碳（C）按1:1的化學計量比組成的晶體，因其內部結構堆積順序的不同，形成不同的SiC多型體，本篇章帶你了解SiC的晶體結構及其可能...

2024-11-14 標簽：半導體晶體 SiC 3346 0

IGBT和SiC這兩者的存在意義

近年來，以SiC（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的化合物半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優異的性能而飽受關注。

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傳統上，半導體生產中最常用的材料是硅（Si），因為它豐富且價格合理。但是，半導體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數還提供額外的好處，例如碳...

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