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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景

本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。

2018-05-28 標(biāo)簽：sic 半導(dǎo)體器件 1.1萬 1

SiC性能在實(shí)際應(yīng)用中已經(jīng)超過GaN

作者：United Silicon Carbide公司新產(chǎn)品導(dǎo)入經(jīng)理Zhongda Li 寬帶隙器件的承諾諸如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶...

2018-02-28 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管 SiC GaN 1.1萬 1

什么是寬禁帶半導(dǎo)體？

半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代...

2023-05-05 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵 GaN 1.1萬 0

化學(xué)氣相沉積法碳化硅外延設(shè)備技術(shù)進(jìn)展

碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來隨著外延設(shè)備和工藝技術(shù)水平不斷提升,外延膜生長速率和品質(zhì)逐步提高,碳化硅在...

2023-02-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝功率器件 1.1萬 0

二極管的特性及損耗分析

本文用于記錄二極管特性及損耗分析。

2023-03-08 標(biāo)簽：二極管 SiC 損耗 1.1萬 0

國產(chǎn)高壓SiC MOSFET介紹及競(jìng)品分析

工業(yè)4.0時(shí)代及電動(dòng)汽車快速的普及，工業(yè)電源、高壓充電器對(duì)功率器件開關(guān)損耗、功率密度等性能也隨之提高，傳統(tǒng)的Si-MosFet性能已被開發(fā)的接近頂峰，S...

2021-09-15 標(biāo)簽：MOSFET SiC 工業(yè)電源 1.1萬 0

MOS管的構(gòu)造,工作原理,特性,電壓極性和符號(hào)規(guī)則的詳細(xì)資料概述

隨著社會(huì)的進(jìn)步和發(fā)展，MOS管在電子行業(yè)的應(yīng)用越來越廣泛，薩科微電子SLKOR作為能夠研發(fā)生產(chǎn)碳化硅SiC產(chǎn)品的“碳化硅專家”，必須來科普一下這方面的知識(shí)。

2018-07-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管 SiC 1.1萬 0

SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述

SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是...

2018-07-15 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 1.1萬 0

碳和硅都這么優(yōu)秀了，可是怎么還出了一個(gè)碳化硅（SiC）？

你可能沒見過莫桑石，但你一定聽說過金剛砂，這個(gè)類似“金剛石”的名稱已經(jīng)霸氣側(cè)露的表示出了它的硬度。常見的作為磨料、耐火材料的金剛砂分黑色和綠色兩種。但是...

2019-03-28 標(biāo)簽：電阻 SiC 碳化硅 1.0萬 0

三種功率器件的應(yīng)用區(qū)別

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）、Si MOSFET（硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶...

2024-07-18 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體晶體管 1.0萬 0

陶瓷封裝工藝介紹

陶瓷封裝工藝是指采用陶瓷外殼 (Ceramic Packaging Shell, CPS)或陶瓷基板作為封裝載體，在陶瓷外殼的芯腔或陶瓷基板芯片安裝區(qū)黏...

2023-04-27 標(biāo)簽：cps SiC PGA封裝 1.0萬 0

全面解析快速電動(dòng)汽車充電技術(shù)

簡(jiǎn)短的電動(dòng)汽車部署展望電動(dòng)汽車、電動(dòng)動(dòng)力總成和車輛電氣化技術(shù)已經(jīng)存在多年。事實(shí)上，第一個(gè)?電動(dòng)汽車（EV）?出現(xiàn)在晚19日?世紀(jì)。然而，在近年來一直...

2021-06-22 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 SiC 1.0萬 0

什么是異構(gòu)集成？什么是異構(gòu)計(jì)算？異構(gòu)集成、異構(gòu)計(jì)算的關(guān)系？

異構(gòu)集成主要指將多個(gè)不同工藝節(jié)點(diǎn)單獨(dú)制造的芯片封裝到一個(gè)封裝內(nèi)部，以增強(qiáng)功能性和提高性能。

2023-11-27 標(biāo)簽：SiC 芯片封裝 GaN 1.0萬 0

SiC器件優(yōu)越性、發(fā)展以及在電源系統(tǒng)的應(yīng)用分析

經(jīng)研究者的努力，以SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸展示出及其優(yōu)異的性能。SiC功率器件耐高溫、抗輻射，具有較高的擊穿電壓和工作頻率，適于在惡劣條件下工...

2018-01-21 標(biāo)簽：sic sic器件 9981 0

SiC材料做成的器件又會(huì)有什么過人之處呢？

圖3是1200V HighSpeed3 IGBT(IGW40N120H3) 與CoolSiCTM MOSFET (IMW120R045M1)的輸出特性對(duì)...

2018-06-09 標(biāo)簽：mosfet 功率器件 SiC 9901 0

入了解SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)建議和解決方案示例

對(duì)于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車或家用電器等高功率應(yīng)用，碳化硅 (SiC) MOSFET 與同等的硅 IGBT 相比具有許多優(yōu)勢(shì)，包括更快的開關(guān)速度、更高的電流密...

2018-07-04 標(biāo)簽：MOSFET SiC 開關(guān)損耗 9876 0

英飛凌碳化硅技術(shù)大解析

電力電子未來發(fā)展的趨勢(shì)之一是使用更高的開關(guān)頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設(shè)計(jì),所以如何降低動(dòng)態(tài)損耗至關(guān)重要。因?yàn)镾iC材料的本征特性,SiC器件的電容相當(dāng)小。在...

2018-05-02 標(biāo)簽：英飛凌肖特基二極管 SiC 9727 0

如何通過調(diào)整門極驅(qū)動(dòng)負(fù)壓，來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法

由于寬禁帶半導(dǎo)體SiC的固有特征，以及不同于Si材料的半導(dǎo)體氧化層界面特性，會(huì)引起閾值電壓變化以及漂移現(xiàn)象。為了理解這些差異，解釋這些差異與材料本身特性...

2018-11-08 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 9721 0

溝槽就是戰(zhàn)壕：英飛凌碳化硅CoolSiC?

戰(zhàn)爭(zhēng)在戰(zhàn)壕中決出勝負(fù)，而溝槽就是我們的前線戰(zhàn)壕。也就是說，前線奮戰(zhàn)人員憑借他們的集體合作和努力決定最終的勝利。作為電源管理應(yīng)用的設(shè)計(jì)工程師，本文的讀者就...

2023-03-13 標(biāo)簽：英飛凌二極管 MOSFET 9627 0

各種SiC功率器件的研究和開發(fā)進(jìn)入迅速發(fā)展時(shí)期

SiC的禁帶寬度3.23ev，相應(yīng)的本征溫度可高達(dá)800攝氏度。如果能夠突破材料及封裝的溫度瓶頸，則功率器件的工作溫度將會(huì)提升到一個(gè)全新的高度。SiC材...

2018-05-11 標(biāo)簽：功率器件 sic 9562 0

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國十大營銷人物”
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