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臺積電擴(kuò)大采購氮化鎵相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備 6英寸廠內(nèi)相關(guān)產(chǎn)能將翻倍

21克888 ? 來源:電子發(fā)燒友 ? 作者:綜合報道 ? 2021-02-24 10:01 ? 次閱讀
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有市場消息傳出,臺積電正擴(kuò)大采購買氮化鎵相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備,6英寸廠內(nèi)相關(guān)產(chǎn)能將翻倍。

自去年開始就陸續(xù)有消息傳出,臺積電看好化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域,將與國外大廠合作進(jìn)軍此領(lǐng)域,尤其是氮化鎵晶圓。魏哲家當(dāng)初表示,氮化鎵擁有高效能、高電壓等特性,適合用在高頻半導(dǎo)體,而臺積電在氮化鎵制程技術(shù)上已有所進(jìn)展,符合客戶要求,看好未來氮化鎵應(yīng)用前景。如今,小批量生產(chǎn)正在擴(kuò)大。

臺積電目前是提供6英寸硅基氮化鎵晶圓代工服務(wù),且在結(jié)盟意法半導(dǎo)體后,又與納微半導(dǎo)體進(jìn)行合作,先進(jìn)功率氮化鎵解決方案正陸續(xù)開發(fā),預(yù)期能搶攻目前最熱門的電動車市場商機(jī)。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,氮化鎵運(yùn)作將比硅元件快上20倍,應(yīng)用在充電器上,將可使速度快3倍,但卻能大幅縮小體積與重量。雖然氮化鎵還不能用在制作如CPU等邏輯IC,主要是光電、通訊射頻電源功率元件,但仍然相當(dāng)重要,且造價并不便宜。

此類化合物半導(dǎo)體已被認(rèn)為是第三代半導(dǎo)體,各國正積極投入生產(chǎn)及研究,還有如碳化硅等,具有耐高溫、耐高壓的特點(diǎn),在電力電子系統(tǒng)上能有相當(dāng)廣泛的應(yīng)用,當(dāng)然也包括電動車,所以除了手機(jī)快充外,目前投入化合物半導(dǎo)體的業(yè)者基本上都相當(dāng)積極的想要打入電動車供應(yīng)鏈。

此外,氮化鎵極其穩(wěn)定的化合物,堅(jiān)硬和高熔點(diǎn)材料,熔點(diǎn)為 1700℃。具有高的電離度,出色的擊穿能力、更高的電子密度和電子速度以及更高的工作溫度,且具有低導(dǎo)通損耗、高電流密度等優(yōu)勢。

通常用于微波射頻、電力電子、光電子三大領(lǐng)域。微波射頻包含了5G通信、雷達(dá)預(yù)警、衛(wèi)星通訊等應(yīng)用;電力電子方向包括了智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)電子等應(yīng)用;光電子方向包括了 LED、激光器、光電探測器等應(yīng)用。

隨著5G到來,GaN在Sub-6GHz 宏基站和毫米波(24GHz以上)小基站中找到一席之地。GaN射頻市場將從2018年的6.45億美元增長到2024年的約20億美元,這主要受電信基礎(chǔ)設(shè)施和國防兩個方向應(yīng)用推動,衛(wèi)星通信、有線寬帶和射頻功率也做出了一定貢獻(xiàn)。

隨著新的基于GaN的有源電子掃描陣列(AESA)雷達(dá)系統(tǒng)的實(shí)施,基于GaN的軍用雷達(dá)預(yù)計將主導(dǎo)GaN軍事市場,從2018年的2.7億美元增長至2024年的9.77億美元,CAGR達(dá) 23.91%。

GaN射頻功率市場規(guī)模從2018年的200萬美元增長至2024年的10,460萬美元,CAGR達(dá) 93.38%,具有很大成長空間。

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如臺灣地區(qū)的茂矽、漢磊科等也早已布局相關(guān)應(yīng)用,搶先跨過技術(shù)門檻來爭搶市占,自去年Q4以來,車用電子急遽升溫,客戶訂單開始激增,目前產(chǎn)能都已滿載,價格當(dāng)然也攀高,市場相當(dāng)看好,甚至預(yù)期下半年客戶不會修正庫存,動能將持續(xù),并一舉反虧為盈。

雖然這只是期望,但無論如何,化合物半導(dǎo)體市場正在擴(kuò)大,將會是趨勢。據(jù)臺灣工研院報告,2025年就將成長到1780億美元,而相對來講投入的廠商仍少,但有的廠商已取得不錯的成果。

本文由電子發(fā)燒友綜合報道,內(nèi)容參考自建投證券、IT之家,轉(zhuǎn)載請注明以上來源。

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