半導體芯科技編譯

來源：ee News

H7 IGBT器件采用EC7復合封裝二極管，采用先進的發射極控制設計，再加上高速技術，可滿足對環保和高效電源解決方案不斷增長的需求。

IGBT7 H7采用最新的微圖案溝槽技術來改善器件的控制和性能，從而顯著降低損耗、提高效率和更高的功率密度。該器件是針對組串式逆變器、儲能系統 (ESS)、電動汽車充電應用以及工業UPS和焊接等傳統應用。

在分立封裝中，H7可應用于40 A至150 A的電流，提供四種不同的封裝類型：TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。

H7的TO-247-3 HCC型號具有高爬電距離。為了提高性能，TO-247 4-pin開爾文封裝不僅降低了開關損耗，而且還提供了額外的優勢，例如更低的電壓過沖、最小化的傳導損耗和最低的反向電流損耗。這簡化了設計并最大限度地減少了并聯設備的需要。

650V H7 IGBT還具有強大的防潮性能，可在惡劣環境下可靠運行。根據JEDEC47/20/22的相關測試，其符合工業用途，特別是HV-H3TRB，非常適合戶外應用。