RTD Wafer 晶圓測溫系統利用自主研發的核心技術將 RTD 傳感器集成到晶圓表面，實時監控和記錄晶圓在制程過程中的溫度變化數據，為半導體 制造過程提供一種高效可靠的方式來監測和優化關鍵的工藝參數。瑞樂提 供核心的 DUAL SHIELD 技術，具有強抗干擾能力，可實現在干法刻蝕環 境中正常工作，精準監測刻蝕工藝溫度；結合核心的 TEMP-BLOCK 技術， 可實現高溫環境中，精準監測制程溫度。
【應用范圍】PVD(物理氣相沉積)、CVD(化學氣相沉積)、全自 動涂膠顯影TRACK設備、無線測溫設備場景
【產品優勢】
1. ±0.05℃高精度測溫監測：RTD傳感器能夠提供高精度的溫度讀數，確保半導體制造過程中的關鍵步驟能夠在最佳溫度下進行，從而保證產品質量至關重要。
2. 實時測溫數據獲取：通過RTD Wafer，可以實時監測晶圓在熱處理和刻蝕過程中的溫度變化，實現即時調整工藝參數，優化生產效率。
3. 測溫數據分析能力：測量后的數據通過軟件分析和優化工藝參數，提高產量和產品質量。
4.支持過程調整與驗證：通過分析在產品工藝條件下收集的溫度數據實現調整蝕刻和其他關鍵工藝步驟的條件，以確保最佳性能。
5.全面熱分布區監測：在晶圓上支持多達81個位置同時進行溫度監測，從而獲得全面的熱分布圖。
【參數配置】
Wafer 尺寸 | 2”、3”、4”、6”、8”、12” | 測溫元件 | RTD |
測溫點數 | 1-17 | 晶圓材質 | 硅片 / 藍寶石等 |
溫度范圍 | 10-250℃ | 通信方式 | 無線通信傳輸 |
溫度精度 | ±0.5℃ | 采樣頻率 | 1Hz/2Hz |
sensor to sensor | ＜ 0.5℃ | 配套主機 | 測溫系統配套主機 |
測溫軟件 | 測溫專用軟件，實時顯示溫度場剖面圖及實時升溫曲線圖 | ||
4.TC Wafer晶圓測溫系統
TC Wafer 晶圓測溫系統通過利用自主研發的核心技術將耐高溫的熱電偶傳感器鑲嵌在晶圓表面，實時監控和記錄晶圓在制程過程中的溫度變化數據，為半導體制造過程提供一種高效可靠的方式來監測和優化關鍵的工藝參數。
【應用范圍】
物理氣相沉積 (PVD)、原子層沉積 (ALD)、化學氣相沉積 (CVD)、退火爐、去膠設備、晶圓臨時鍵合、涂膠顯影 TRACK 設備、 加熱板、加熱盤
【產品優勢】
1. 1200℃耐高溫測量：熱電偶傳感器能夠承受1200℃的溫度，TC Wafer適合用于監控在極端溫度條件下進行的半導體制造過程。
2. 溫度精確實時監測：TC Wafer可提供晶圓上特定位置的準確溫度數據。
3. 詳細溫度分布圖：通過在晶圓上布置多個點來收集溫度數據，TC Wafer能夠提供整個晶圓的溫度分布情況，幫助識別不均勻加熱或冷卻的問題。
4. 瞬態溫度跟蹤：TC Wafer能夠捕捉到快速變化的溫度動態，如升溫、降溫、恒溫過程以及延遲時間等關鍵參數的變化，為工藝優化提供數據支持。
5. 支持過程控制與優化：持續監控晶圓在熱處理過程中的溫度變化有助于工程師調整工藝參數，提高生產效率并確保產品質量。
6. 適用于多種晶圓尺寸：TC Wafer的設計使其能夠適用于不同直徑的晶圓，包括2英寸和大至12英寸的晶圓，滿足各種制造需求。
【參數配置】
Wafer 尺寸 | 2”、3”、4”、6”、8”、12” | 晶圓材質 | 硅片 / 藍寶石等 |
測溫點數 | 1-34 | 線長 | L1- 腔體內部；L2- 倉門過渡段；L3- 腔體外部 |
測溫元件 | TC | 采樣頻率 | 1Hz |
TC 線徑 | 0.127mm/0.254mm | 配套主機 | 測溫系統配套主機 |
溫度范圍 | K 型：RT~1200℃;R/S 型：RT~1200℃;T 型：RT~350℃;TR 高精度型：-40-250℃ /-40-350℃ | ||
溫度精度 | K 型：±1.1℃ /0.4%；R/S 型：±0.6℃ /0.1%；T 型：±0.5℃;TR 高精度型：±0.1℃ /±0.5℃ | ||
