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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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X射線衍射法是根據X射線衍射原理來精確測定物質的晶體結構和應力的檢測方法，測試方法簡單、方便、測試結果準確，可以準確判斷材料結晶質量好壞，因此是一種非常...
三菱電機開發出首款可覆蓋3400MHz頻段的氮化鎵(GaN)功率放大器
News Releases 三菱電機采用單個GaN功率放大器實現4G、5G及Beyond 5G/6G通信系統寬帶運行 將有助于實現無線電單元共享和基站節...
目前，許多企業在SiC MOSFET的批量化制造生產方面遇到了難題，其中如何降低SiC/SiO?界面缺陷是最令人頭疼的問題。
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術之前，您可能仍然會好奇GaN 是否具...
過去兩年中，氮化鎵雖然發展迅速，但似乎已經遇到了瓶頸。與此同時，不少垂直氮化鎵的初創企業倒閉或者賣盤，這引發大家對垂直氮化鎵未來的擔憂。為此，在本文中，...
據物理學家組織網近日報道，一種新的制造技術有望大幅降低發光二極管（LED）的生產成本，進一步推動其普及進程。
入手一款適合自己的多口快充充電器，可以極大地提高生活和工作效率。最近幾年，充電器行業發展特別迅猛，市場上不斷涌現大功率充電器產品，比如氮化鎵65W充電頭...
干貨分享|高功率氮化鎵場效應晶體管：高性能、高效率、高可靠性（上）
Nexperia(安世半導體)的高功率氮化鎵場效應晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優勢、產品及封裝等內容。本期將先介紹 Nexperi...
在現代汽車中，增加的重量和更寬的前輪胎使無輔助轉向變得不切實際，因為對操作員的阻力增加。因此，幾年前，采用了電動助力轉向。一開始，對駕駛員的輔助是通過液...
氮化鎵晶體管顯然對高速、高性能MOSFET器件構成了非常嚴重的威脅。氮化鎵上硅（GaN on Si）晶體管預計的低成本，甚至還有可能使IGBT器件取代它...
第三代半導體材料擁有硅材料無法比擬的材料性能優勢，從決定器件性能的禁帶寬度、熱導率、擊穿電場等特性來看，第三代半導體均比硅材料優秀，因此，第3代半導體的...
GaN技術可以提高雷達的性能和適用性，但也需要更多的測試和優化，在雷達中的應用有以下優勢和劣勢： 優勢： GaN提供更高的功率水平和更強的魯棒性，可以提...
氮化鎵基Micro LED新突破可實現更高顯示分辨率與調制速率
氮化鎵（GaN）基Micro LED由于在新一代顯示技術、高速可見光通信等方面有著廣泛的應用前景，吸引了眾多研究者的關注。相比于常規尺寸LED，Micr...
氮化鎵元件一個很大的優勢在于它極快的開關速度，它的柵極電容和輸出電容比硅基MOSFET小的多，同時由于沒有體二極管pn結，因此在硬開關中，沒有相關的反向...
氮化鎵（GaN）功率IC在電機逆變器中的應用: 優勢、實際應用案例、設計考量
介紹了氮化鎵（GaN）功率IC在電機逆變器中的應用，對比傳統硅基解決方案，闡述了其優勢、實際應用案例、設計考量及結論。 *附件：Driving-Elec...
新型電子器件 GaN 材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE 技術在 GaN 材料...
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前...
本設計文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。 VDD 電容 VDD 引腳應有兩個盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶...
目前市場已推出多種快充技術方案。其中PD方案的出現，助力推動了快充產品的普及。在快速充電器中，變壓器為最重要元件，而氮化鎵則是不容忽視的重要材料。氮化鎵...
對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內卷開始說起。好像從某個時間點開始，一夜之間，GaN 就如雨后春筍般...
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