慧能泰USB PD3.1快充方案匯總

2021年5月份，USB-IF協(xié)會(huì)正式發(fā)布了USB PD3.1快充標(biāo)準(zhǔn)，將最大充電功率提升至240W，同時(shí)新增28V、36V、48V三組固定輸出電壓檔位...

2023-07-31 標(biāo)簽：充電器usb氮化鎵 995 0

多極碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)單片微波集成電路(MMIC)器件

四款新型多極碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）單片微波集成電路（MMIC）器件。進(jìn)一步擴(kuò)展射頻（RF）解決方案范圍，適用于包括海事、氣象監(jiān)測(cè)和新興的...

2023-02-10 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵相控陣 994 0

氮化鎵能實(shí)現(xiàn)多強(qiáng)大的性能

氮化鎵（GaN）是電力電子行業(yè)的一個(gè)熱門(mén)話題，因?yàn)樗梢詫?shí)現(xiàn)80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動(dòng)汽車(chē)（EV）車(chē)載充電器和電動(dòng)汽車(chē)（EV）充電站等設(shè)計(jì)...

2023-10-13 標(biāo)簽：芯片驅(qū)動(dòng)器FET 994 0

如何驗(yàn)證 GaN 的可靠性

鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有可靠性。

2023-07-13 標(biāo)簽：氮化鎵程序GaN 976 0

遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件的耐高壓測(cè)試

氮化鎵（GaN），作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料，近年來(lái)在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開(kāi)關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢(shì)...

2024-10-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 974 0

羅姆的氮化鎵解決方案優(yōu)勢(shì)及路線圖

氮化鎵（GaN）是一種第三代半導(dǎo)體材料，與硅相比，它的禁帶寬度、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、電子飽和速度都大大優(yōu)于硅，尤其在高頻和高速開(kāi)關(guān)狀態(tài)下。由于其出色的電子移動(dòng)性、...

2023-08-02 標(biāo)簽：電磁干擾氮化鎵GaN 963 0

基于氮化鎵開(kāi)關(guān)器件的高頻小體積照明電源方案

PFC部分使用安森美的NCL2801產(chǎn)品，SOIC-8封裝，外圍線路簡(jiǎn)單。FB腳為輸出電壓采樣信號(hào)輸入端，作為反饋信號(hào)輸入端的同時(shí)還有輸出電壓OVP功能...

2023-12-27 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源控制器氮化鎵 952 0

還在為用氮化鎵設(shè)計(jì)高壓電源犯難？試試這兩個(gè)器件

面對(duì)社會(huì)和監(jiān)管要求，電源效率一直是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項(xiàng)。特別是對(duì)于從電動(dòng)汽車(chē) (EV) 到高壓通信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的應(yīng)用，電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是設(shè)計(jì)成功的關(guān)鍵。

2023-04-28 標(biāo)簽：晶體管FET氮化鎵 941 0

一文解析氮化嫁技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈

氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體材料。 氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典...

2023-11-14 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)射頻功率器件 923 0

氮化鎵（GaN）充電頭安規(guī)問(wèn)題及解決方案

什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充...

2025-02-27 標(biāo)簽：氮化鎵GaN充電頭 915 0

集成的專(zhuān)業(yè)知識(shí)為X波段PA提供最佳的氮化鎵解決方案

氮化鎵是在高頻應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行的無(wú)可爭(zhēng)議的技術(shù)，例如 X 波段 （8–12 GHz） 的應(yīng)用。SiC器件上的GaN可以為這些應(yīng)用提供急需的高溫可靠性和...

2023-05-20 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 908 0

GaN使硅變得容易

就像生活中的現(xiàn)實(shí)一樣，當(dāng)老年人離開(kāi)年輕人的舞臺(tái)時(shí)，Silicon 正在鞠躬。氮化鎵 (GaN) 的出現(xiàn)和采用已成功地逐步淘汰了舊的可靠硅。四十多年來(lái)，隨...

2022-07-27 標(biāo)簽：MOSFET氮化鎵GaN 895 0

基于電感耦合反應(yīng)離子刻蝕的氮化鎵干蝕研究

GaN和InGaN基化合物半導(dǎo)體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實(shí)現(xiàn)藍(lán)-綠光發(fā)光二極管和藍(lán)光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學(xué)和熱穩(wěn)定性，在沒(méi)有其它輔助的...

2023-12-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓氮化鎵 881 0

基于芯干線氮化鎵與碳化硅的100W電源適配器方案

半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心元件，廣泛應(yīng)用于集成電路、消費(fèi)電子及工業(yè)設(shè)備等場(chǎng)景，其性能直接影響智能終端與裝備的運(yùn)行效能。以氮化鎵（GaN）和碳化硅（...

2025-06-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電源適配器SiC 877 0

支持瓦特到千瓦級(jí)應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)

德州儀器的默認(rèn)過(guò)流保護(hù)方法被歸類(lèi)為“電流鎖存”保護(hù)；這意味著，若在器件中檢測(cè)到任何過(guò)流故障，F(xiàn)ET將安全關(guān)斷，并在故障復(fù)位前保持關(guān)斷狀態(tài)。在我們的70m...

2019-04-24 標(biāo)簽：德州儀器功率器件氮化鎵 876 0