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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。
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相比傳統影視行業,手機攝影的發展史確實非常短,不可能跟專業攝影一樣隨身攜帶遮光板遮光斗等專業設備,呈現出極致的攝影效果。但手機跟相機相比最大的優勢,在于...
氮化鎵電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片,內置1.9Ω/630V的超結硅功率MOS。U8621具有全負載高效率、...
氮化鎵(GaN)作為一種寬帶隙化合物半導體材料,具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、導熱系數高、開關頻率高、抗輻射能力強等優點。 其中,高開關頻率意味著應用電路...
擁有能夠在高頻下高功率運行的半導體固然很好,但盡管 GaN 提供了所有優勢,但有一個主要缺點嚴重阻礙了其在眾多應用中替代硅的能力:缺乏 P -類型。
如今,越來越多的設計人員在各種應用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要,因為它有助于提高功率晶體管的效率,從而減小電源的尺寸并降...
基于GaN的轉換器在所有情況下都具有更高的效率和更低的工作溫度,最高效率為 96.8%,最低 94.5%。此外,隨著開關頻率和死區時間的增加,基于硅的轉...
來源:電子工程專輯 比碳化硅器件,氮化鎵功率器件在同時對效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場景中,將更有優勢,比如氮化鎵基器件已成功規模應用于快充領域。...
氮化鎵芯片熱穩定性好、電子遷移速度更快、熱導率更高,同時,氮化鎵芯片還具有更低的導通和開關損耗,整體的功耗更低。在一些對功耗要求嚴格的應用場景中,進一步...
傳統的硅基功率器件在應對這一挑戰時,其性能已經接近極限。碳化硅(SiC)功率器件的出現,為電力電子行業帶來了革新性的改變,成為了解決這一問題的關鍵所在。
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