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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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氮化鎵（GaN）功率芯片將多個電力電子功能集成到一顆GaN芯片中，可有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多情況下，GaN功率芯片可以使先進...
二次離子質譜是利用質譜法分辨一次離子入射到測試樣品表面濺射生成的二次離子而得到材料表面元素含量及分布的一種方法。二次離子質譜儀可以進行包括氫在內的全元素...
GaN開始為人所知是在光電LED市場，廣為人知則是在功率半導體的消費電子快充市場。但實際上，GaN最初在功率半導體領域的目標據說是新能源汽車市場，而非消...
從智能手機和電動汽車 (EV) 到 EV 充電站和電信中心，電源管理已日益成為我們日常使用的電子產品的關鍵因素。直到最近幾年，高效電源管理常常被其他設計...
氮化鎵電源芯片和同步整流芯片在電源系統中猶如一對默契的搭檔，通過緊密配合，顯著提升電源效率。在開關電源的工作過程中，氮化鎵電源芯片憑借其快速的開關速度和...
集成驅動器可減小解決方案尺寸，實現功率密集型系統。同時，集成降壓/升壓轉換器意味著 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非穩壓電源下...
半導體器件作為現代電子技術的核心元件，廣泛應用于集成電路、消費電子及工業設備等場景，其性能直接影響智能終端與裝備的運行效能。以氮化鎵（GaN）和碳化硅（...
InnoSwitch3-AQ無需12V電源就可助力電動汽車高效運行
盡管車身裝備了最先進的電池組，但目前的常規電動汽車仍然使用鉛酸電池在電機關閉時為所有電氣子系統提供12V電源。
Driver Supply - Conventional Bipolar Driver 驅動電源-常規雙極驅動程序 GaN GIT （G...
隨著第三代半導體材料的逐步應用，對頻率要求更高，據我們了解理想頻率應達到300KHz以上。對磁芯來說，您認為頻率應達到多少才會滿足需求？對磁芯的選材有什么要求？
相信大家都清楚，輕載或空載狀態下，開關損耗在轉換效率中占主導地位。所以為了降低待機功耗，大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是...
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導通電阻、高工作頻率和高開...
氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結構，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實現藍光發光二極管(led)的主導材料。由于GaN的高化學穩定性，在室溫下用濕法化...
今天看到一家剛成立3年，專做化合物半導體外延的公司獲得3億元A輪融資。該公司專門生產碳化硅及氮化鎵相關外延片，同時提供包含GaN on Silicon、...
達摩院指出，近年來第三代半導體的性價比優勢逐漸顯現，正在打開應用市場：SiC元件已用作汽車逆變器，GaN快速充電器也大量上市。
氮化鎵(GaN)功率半導體技術和模塊式設計的進步，使得微波頻率的高功率連續波(CW)和脈沖放大器成為可能。
本文小編分享一篇文章，本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業的應用，本文介紹了原子層鍍膜技術在碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件中的應用，并介紹了原子層鍍膜技...
在消費類快充電源市場中，氮化鎵有著廣泛的應用，如今已有數十家主流電源廠商開辟了氮化鎵快充產品線，推出的氮化鎵快充新品多達數百款。氮化鎵電源芯片正呈現出蓬...
如今，以碳化硅、氮化鎵等為代表的第三代半導體新材料得到廣泛應用，它們具有更高的導熱率和抗輻射能力，以及更大的電子飽和漂移速率等特點。氮化鎵熱穩定性好、飽...
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