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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合，納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進(jìn)。
報告內(nèi)容包含： 動機 理論計算 氮化鎵材料參數(shù) 固有載流子濃度 擊穿電壓 (VB) 通態(tài)電阻 (RON)
技術(shù)資料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 （GaN） 功率級
LMG2100R026 器件是一款 93V 連續(xù)、100V 脈沖、53A 半橋功率級，集成了柵極驅(qū)動器和增強型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 ...
U860X氮化鎵快充芯片系列在原有的U8607、U8608基礎(chǔ)上，升級增加U8609料號，同時具備了輸入欠壓及軟入過壓保護(hù)功能，有需求的小伙伴趕緊看過來！
2025-02-08 標(biāo)簽：氮化鎵功率開關(guān)管快充芯片 562 0
氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz
氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz氮化鎵電源芯片U8733集成恒功率控制與主動降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過控制輸出電流...
傳統(tǒng)的安規(guī)Y電容是插件形式的，體積較大，安裝很占用空間，同時還需要人工插件，安裝效率極低，為了解決這個難題，科雅推出了JK-ET系列貼片Y電容，什么是安...
目前GaN正逐漸廣泛應(yīng)用的四個主要中電壓領(lǐng)域
這篇技術(shù)文章由德州儀器（TEXAS INSTRUMENTS）的 Srijan Ashok 撰寫，主要介紹了中電壓氮化鎵（GaN）在四種應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)勢和應(yīng)...
近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...
南芯POWERQUARK?系列AC/DC轉(zhuǎn)換器解決方案
功率密度的大幅提升離不開第三代半導(dǎo)體的助力，氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，它可在更高的頻率下運行，且具有更快的開關(guān)速度和更低的功耗。2018年前后...
納微新一代GaNSense? Control合封芯片的應(yīng)用電路
GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片具有單片集成的 GaN 功率 FET 和 GaN 驅(qū)動器的所有優(yōu)點，加上單個表面貼裝封裝中的控制和保護(hù)...
2023-04-25 標(biāo)簽：充電器氮化鎵納微半導(dǎo)體 519 0
TI DRV7308 具有保護(hù)和電流檢測功能的650V、205mΩ三相集成式 GaN 智能電源模塊 (IPM)
DRV7308 是一款三相智能電源模塊 (IPM)，其中包含 205mΩ、650V 增強型氮化鎵 (GaN)，用于驅(qū)動高達(dá) 450V 直流電源軌的三相 ...
帶恒功率、底部無PAD的氮化鎵芯片U872XAHS系列型號分別為U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐壓700V，內(nèi)阻1.0--1.2...
產(chǎn)品介紹#LMG5200 80V GaN 半橋功率級
LMG5200器件是一個 80V、10A 驅(qū)動器和 GaN 半橋功率級，使用增強型氮化鎵 （GaN） FET 提供集成功率級解決方案。該器件由兩個 80...
用戶指南：LMG2100EVM-097 LMG2100R026評估模塊介紹
LMG2100R026 評估模塊是一款緊湊且易于使用的功率級模塊，通過外部 PWM 信號進(jìn)行控制。該電路板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的...
2025-02-21 標(biāo)簽：升壓轉(zhuǎn)換器場效應(yīng)晶體管氮化鎵 495 0
TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級，集成了柵極驅(qū)動器和增強型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個 ...
對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開始說起。好像從某個時間點開始，一夜之間，GaN 就如雨后春筍般...
應(yīng)用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級熱性能總結(jié)
德州儀器（TI）提供的一種新的驅(qū)動器集成氮化鎵（GaN）功率級產(chǎn)品系列已在一個低成本、緊湊的四扁平無引腳（QFN）封裝中實現(xiàn)，該封裝尺寸為12mm x ...
氮化鎵（GaN）無刷直流電機驅(qū)動 提升效率、減小尺寸和降低成本方面
本文圍繞氮化鎵（GaN）功率IC在無刷直流（BLDC）電機驅(qū)動應(yīng)用中的優(yōu)勢展開研究，通過設(shè)計實例和實驗數(shù)據(jù)，論證了其在提升效率、減小尺寸和降低成本方面的...
2025-04-24 標(biāo)簽：氮化鎵GaN無刷直流電機驅(qū)動 462 0
通過凹槽切斷柵極下方的2DEG，使得器件在零柵壓下為關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)正柵壓增至大于閾值電壓時,將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導(dǎo)電溝道,器件呈導(dǎo)通狀態(tài)。
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