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標簽 > MOSFET
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
除了傳統(tǒng)上應用于諸如微處理器、微控制器等數(shù)位信號處理的場合上,也有越來越多模擬信號處理的集成電路可以用MOSFET來實現(xiàn)。
德州儀器方案 | 使用熱插拔控制器應對48V AI服務器的保護挑戰(zhàn)
新興的 48V AI 服務器在峰值和穩(wěn)定狀態(tài)下都需要更大的功率。在使用熱插拔控制器和并聯(lián) MOSFET 設計前端保護時,高功耗以及快速和瞬態(tài)動態(tài)特性帶來...
并聯(lián)MOSFET設計指南:均流、寄生參數(shù)與熱平衡
在現(xiàn)代高效電源設計中,MOSFET并聯(lián)技術廣泛應用于要求大電流承載能力的電路中,如電動汽車、電源供應、功率放大器等。通過并聯(lián)多個MOSFET,可以大幅提...
TPS65257 4.5v 至 16v 輸入,3A/2A/2A 輸出帶 USB 開關的同步三路降壓轉換器數(shù)據(jù)手冊
TPS65257 是一款具有 3 個降壓降壓轉換器的電源管理 IC。兩個高側 并集成了低側 MOSFET,以提供更高效率的完全同步轉換。 這些轉換器旨在...
TPS65258 3個集成FET和2個USB開關的DC-DC轉換器數(shù)據(jù)手冊
TPS65258 是一款具有 3 個降壓降壓轉換器的電源管理 IC。集成了高側和低側 MOSFET,以提供更高效率的完全同步轉換。這些轉換器旨在簡化其應...
TPS54519 2.95V 至 6V 輸入、5A 同步降壓轉換器數(shù)據(jù)手冊
TPS54519 器件是一款功能齊全的 6 V、5 A 同步降壓電流模式轉換器,帶有兩個集成 MOSFET。 該 TPS54519 通過集成 MO...
TPS652510 4.5V 至 16V 輸入、3A/2A/2A 輸出、同步三通道降壓轉換器數(shù)據(jù)手冊
TPS652510 是一款具有 3 個降壓轉換器的電源管理 IC。兩個高側 并集成了低側 MOSFET,以提供更高效率的完全同步轉換。 這些轉換器旨在簡...
LMR24210 42Vin、1.0A 降壓穩(wěn)壓器,采用微型 SMD 封裝數(shù)據(jù)手冊
LMR24210 同步整流降壓轉換器具有實現(xiàn)高效且具有成本效益的降壓穩(wěn)壓器所需的所有功能。它能夠以低至 0.8 V 的輸出電壓為負載提供 1 A 電流。...
LMR24220 42Vin、2.0A 微型 SMD 降壓穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊
LMR24220 同步整流降壓轉換器具有實現(xiàn)高效且具有成本效益的降壓穩(wěn)壓器所需的所有功能。它能夠以低至 0.8V 的輸出電壓為負載提供 2A 電流。雙 ...
TPS54821 具有打嗝電流限制的 4.5V 至 17V、8A 同步降壓轉換器數(shù)據(jù)手冊
采用耐熱增強型 3.5 mm × 3.5 mm QFN 封裝的 TPS54821 采用全功能 17 V、8 同步降壓轉換器,通過高效率和 集成高側和低側...
禾納AET3156AP P通道EpicMOST規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-06-19 標簽:MOSFET 78 0
AET3152AP常用P溝道場效應晶體管規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-05-23 標簽:MOSFET場效應晶體管p溝道 133 0
AET3152AP P溝道高級模式MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-05-22 標簽:MOSFETp溝道 65 0
ZSKY-ZS7N65A N溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-05-14 標簽:MOSFETN溝道 47 0
ZSKYN- 120N06D- TO252-2L N溝道增強型MOSFET規(guī)格書立即下載
類別:IC datasheet pdf 2025-05-14 標簽:MOSFETN溝道 79 0
新品 | 650V CoolMOS? 8超結 (SJ) MOSFET
新品650VCoolMOS8超結(SJ)MOSFET英飛凌推出全新650VCoolMOS8引領全球高壓超結SJMOSFET技術,為行業(yè)技術和性價比樹立了...
面對工業(yè)電源、BLDC電機驅動、新能源轉換系統(tǒng)對功率密度的極致追求,我們正式推出200V MOSFET Gen2.0全系列解決方案。賦能設備向小型化、高...
2025-07-03 標簽:MOSFET電力系統(tǒng)揚杰科技 381 0
ROHM推出全新100V功率MOSFET助力AI服務器和工業(yè)電源高效能
近期,ROHM半導體公司發(fā)布了一款全新的100V功率MOSFET——RY7P250BM。這款器件專為48V電源架構中的熱插拔電路設計,廣泛應用于AI服務...
Wolfspeed 1700 V MOSFET 技術,助力重塑輔助電源系統(tǒng)的耐用性和成本
在幾乎所有電機驅動、電動汽車、快速充電器和可再生能源系統(tǒng)中,都會配備低功耗輔助電源。雖然相比于主要的功率級,此類電源通常受到的關注較少,但它們?nèi)允菐椭?..
2025-07-03 標簽:MOSFET電源系統(tǒng) 113 0
數(shù)明半導體推出SiLM27213系列專用MOSFET門極驅動器
隨著高頻、高效率開關電源在電信電源設備、數(shù)據(jù)通信設備、工業(yè)設備和消費品等眾多領域的應用持續(xù)拓展與深化,電源管理組件的性能優(yōu)劣對系統(tǒng)整體效率與穩(wěn)定性起著決...
2025-07-02 標簽:MOSFET門極驅動器數(shù)明半導體 406 0
英飛凌推出具有超低導通電阻的CoolSiC? MOSFET 750 V G2,適用于汽車和工業(yè)功率電子應用
【 2025 年 7 月 1 日 , 德國慕尼黑訊】 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:...
B3M020120H(SiC MOSFET)其替代IGBT單管的應用價值分析
基于B3M020120H(SiC MOSFET)的技術參數(shù),以下是其替代IGBT單管的應用價值分析,重點突出核心優(yōu)勢與潛在考量: 核心優(yōu)勢 高頻高效能 ...
更低Rdson,更強動力!捷捷微電MOSFET讓您的UPS甩開能效焦慮!
UPS的“芯”動力在數(shù)據(jù)中心、醫(yī)療設備、工業(yè)自動化等關鍵領域,不間斷電源(UPS)如同“電力衛(wèi)士”,保障著系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。而作為UPS核心“開關”的功率...
新品 | 采用D2PAK-7封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET
新品采用D2PAK-7封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引腳封...
? ? ? ? ?在當今電子設備日益復雜和多樣化的背景下,高效、可靠的電源管理解決方案成為關鍵。Silicore芯谷科技推出的D3502C高壓降壓轉換器...
2025-06-30 標簽:MOSFET開關穩(wěn)壓器 127 0
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